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公开(公告)号：CN119414593B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510016861.7
申请日：2025-01-06
Applicant: 苏州芯镁信电子科技有限公司 , 桂林聚联科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS微镜及制备方法，包括层叠设置的衬底层、固定梳齿层和可动梳齿层，可动梳齿层上设有反射镜；多个通孔，纵向贯穿衬底层和固定梳齿层，衬底层、固定梳齿层与通孔间彼此设置介质层；多个金属互连结构，填充于通孔中，部分金属互连结构与固定梳齿层电性连接，另一部分与可动梳齿层电性连接；第一焊盘层，与金属互联结构暴露于衬底层的一端连接；第二焊盘层，与金属互联结构暴露于固定梳齿层表面的一端电性连接。本申请采用金属互联结构实现MEMS微镜底部第一焊盘层和正面第二焊盘层的电性连接，无需在反射镜一侧打线，降低阵列式封装复杂度和交叉干扰风险，降低功耗和寄生电容，提升MEMS微镜的可靠性和长期性能。
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公开(公告)号：CN119461235B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510060922.X
申请日：2025-01-15
Applicant: 苏州芯镁信电子科技有限公司 , 桂林聚联科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种用于MEMS微镜的键合结构及形成方法，包括SOI衬底、图形化键合层、键合衬底和隔离槽结构，图形化键合层位于SOI衬底和键合衬底之间；SOI衬底具有纵向贯穿的多个金属互联结构，金属互联结构和SOI衬底之间设有介质层；图形化键合层中至少部分区域位于金属互联结构上，金属互联结构与键合衬底通过图形化键合层电性连接；隔离槽结构纵向贯穿图形化键合层和键合衬底，并暴露多个金属互联结构中至少部分金属互联结构周侧的介质层。本申请在SOI衬底和键合衬底之间引入具有一定的厚度和图案的图形化键合层，在纵向上避免了两层硅材料间的非期望粘连，提升了SOI衬底和键合衬底的隔离有效性，进而提升应用于MEMS微镜中的电气隔离可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN119461235A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510060922.X
申请日：2025-01-15
Applicant: 苏州芯镁信电子科技有限公司 , 桂林聚联科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种用于MEMS微镜的键合结构及形成方法，包括SOI衬底、图形化键合层、键合衬底和隔离槽结构，图形化键合层位于SOI衬底和键合衬底之间；SOI衬底具有纵向贯穿的多个金属互联结构，金属互联结构和SOI衬底之间设有介质层；图形化键合层中至少部分区域位于金属互联结构上，金属互联结构与键合衬底通过图形化键合层电性连接；隔离槽结构纵向贯穿图形化键合层和键合衬底，并暴露多个金属互联结构中至少部分金属互联结构周侧的介质层。本申请在SOI衬底和键合衬底之间引入具有一定的厚度和图案的图形化键合层，在纵向上避免了两层硅材料间的非期望粘连，提升了SOI衬底和键合衬底的隔离有效性，进而提升应用于MEMS微镜中的电气隔离可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN119330301B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411881670.9
申请日：2024-12-19
Applicant: 苏州芯镁信电子科技有限公司 , 桂林聚联科技有限公司
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种MEMS微镜的制备方法，制备方法包括：提供晶圆衬底，晶圆衬底具有相对的正面和背面，正面为用于形成MEMS微镜的功能面；于晶圆衬底上形成导电柱和第一标记，导电柱贯穿晶圆衬底，第一标记位于晶圆衬底的背面；于晶圆衬底的正面形成第二标记和第一功能结构；于晶圆衬底的正面侧形成键合层，键合层位于导电柱、第二标记和第一功能结构的上方；以第一标记为套刻对准点，在键合层上形成暴露第二标记的标记窗口；以第二标记为套刻对准点，于键合层上形成第二功能结构，第二功能结构与第一功能结构套刻对准。基于上述技术方案能够有效提升MEMS微镜制备过程中的对准精度。
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公开(公告)号：CN119330301A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411881670.9
申请日：2024-12-19
Applicant: 苏州芯镁信电子科技有限公司 , 桂林聚联科技有限公司
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种MEMS微镜的制备方法，制备方法包括：提供晶圆衬底，晶圆衬底具有相对的正面和背面，正面为用于形成MEMS微镜的功能面；于晶圆衬底上形成导电柱和第一标记，导电柱贯穿晶圆衬底，第一标记位于晶圆衬底的背面；于晶圆衬底的正面形成第二标记和第一功能结构；于晶圆衬底的正面侧形成键合层，键合层位于导电柱、第二标记和第一功能结构的上方；以第一标记为套刻对准点，在键合层上形成暴露第二标记的标记窗口；以第二标记为套刻对准点，于键合层上形成第二功能结构，第二功能结构与第一功能结构套刻对准。基于上述技术方案能够有效提升MEMS微镜制备过程中的对准精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119414593A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202510016861.7
申请日：2025-01-06
Applicant: 苏州芯镁信电子科技有限公司 , 桂林聚联科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS微镜及制备方法，包括层叠设置的衬底层、固定梳齿层和可动梳齿层，可动梳齿层上设有反射镜；多个通孔，纵向贯穿衬底层和固定梳齿层，衬底层、固定梳齿层与通孔间彼此设置介质层；多个金属互连结构，填充于通孔中，部分金属互连结构与固定梳齿层电性连接，另一部分与可动梳齿层电性连接；第一焊盘层，与金属互联结构暴露于衬底层的一端连接；第二焊盘层，与金属互联结构暴露于固定梳齿层表面的一端电性连接。本申请采用金属互联结构实现MEMS微镜底部第一焊盘层和正面第二焊盘层的电性连接，无需在反射镜一侧打线，降低阵列式封装复杂度和交叉干扰风险，降低功耗和寄生电容，提升MEMS微镜的可靠性和长期性能。
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公开(公告)号：CN117871601A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410038148.8
申请日：2024-01-10
Applicant: 苏州芯镁信电子科技有限公司
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种恒温热导率气体传感器及制备方法，包括衬底、位于所述衬底上的绝缘层、位于所述绝缘层上的温控层与位于所述温控层上的保护层；所述温控层包括至少一个加热单元、多个制冷单元与多个测温单元，所述多个制冷单元位于所述加热单元的两侧，所述多个测温单元位于所述加热单元的两侧，且所述制冷单元和所述测温单元交替排布。本发明采用制冷单元进行主动降温，与加热单元、测温单元共同配合，使得恒温热导率气体传感器整体的工作温度达到实时稳定，且极大地减少了恒温热导率气体传感器恢复温度平衡的时间，也大大提高了温度控制的均匀性，有利于提升恒温热导率气体传感器进行气体检测的及时性和准确度，降低安全隐患。
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公开(公告)号：CN114720509B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210638376.X
申请日：2022-06-08
Applicant: 苏州芯镁信电子科技有限公司
IPC: G01N25/20
Abstract: 本申请公开一种气体检测组件及其制备方法，该气体检测组件包括：基底，以及沿远离基底方向上依次设置的第一测温层、隔离层、第二测温层；第一测温层包括加热元件和第一测温元件，第二测温层包括第二测温元件，第一测温元件与第二测温元件串联。本申请制备的气体检测组件具备体积小、功耗低、成本低、检测精度高和良好的平台兼容性等优势，进而具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN112688071A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011587582.X
申请日：2020-12-28
Applicant: 苏州芯镁信电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，具体涉及到天线技术领域。本发明包括如下：对硅片进行清洗，然后通过氮气对硅片进行烘干；烘干的硅片表面沉积一层氮化硅；硅片表面沉积一层金属种子层；金属种子层上进行匀胶、光刻和显影，得到图形化的光刻胶；金属种子层上电镀一层复合金属层；硅片的背面进行匀胶、光刻和显影，并采用等离子体蚀刻工艺，得到湿法腐蚀的对准窗口；采用湿法腐蚀工艺，去除复合金属层下方的硅片；制得的硅片通过胶键合的方式进行摞列。本发明提出的一种不含介质层的太赫兹阵列传输天线的制备方法，提高了信号强度，且制备工艺简单，降低了生产成本低。
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公开(公告)号：CN114323449B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111522564.8
申请日：2021-12-13
Applicant: 苏州芯镁信电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开一种氢气传感器及其制备方法，该氢气传感器包括：基底和沿远离基底的方向上依次设置的第一薄膜、传感器组件和第二薄膜；基底朝向第一薄膜的一侧设置有绝热通腔，部分第一薄膜设置在绝热通腔的腔体开口处；传感器组件包括布置于第一薄膜上的第一电阻、第二电阻和环境温度电阻，第一电阻与第二电阻相邻布置；第一电阻与第二电阻设置于绝热通腔的腔体开口范围内；基底上还设置有贯穿基底且穿过绝热通腔的腔体的气体交换通道，气体交换通道设置在远离第一薄膜的一侧，本申请制备的氢气传感器能够检测浓度小于等于0.1％的氢气，且具有响应时间短、使用寿命长和热容低的优势，进而有助于提了车辆的安全性能。
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