-
公开(公告)号：CN114855267B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210781178.9
申请日：2022-07-05
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 四川大学
Abstract: 本申请提供一种晶圆外延生长系统及晶圆外延生长方法，所述晶圆外延生长系统包括：反应腔室，所述反应腔室适于容纳第一预设反应气体和第二预设反应气体，第一预设反应气体和第二预设反应气体用于在晶圆上沉积形成外延结构；进气系统，所述进气系统包括第一进气通道和至少一个第二进气通道；所述第一进气通道连接于所述反应腔室顶部的中心区域，所述第一进气通道适于向所述反应腔室输送所述第一预设反应气体；所述第二进气通道连接于所述反应腔室顶部的边缘区域，所述第二进气通道适于向所述反应腔室输送所述第二预设反应气体。本申请实现了对晶圆外延生长的控制，避免翘曲的形成。
-
公开(公告)号：CN114855267A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210781178.9
申请日：2022-07-05
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 四川大学
Abstract: 本申请提供一种晶圆外延生长系统及晶圆外延生长方法，所述晶圆外延生长系统包括：反应腔室，所述反应腔室适于容纳第一预设反应气体和第二预设反应气体，第一预设反应气体和第二预设反应气体用于在晶圆上沉积形成外延结构；进气系统，所述进气系统包括第一进气通道和至少一个第二进气通道；所述第一进气通道连接于所述反应腔室顶部的中心区域，所述第一进气通道适于向所述反应腔室输送所述第一预设反应气体；所述第二进气通道连接于所述反应腔室顶部的边缘区域，所述第二进气通道适于向所述反应腔室输送所述第二预设反应气体。本申请实现了对晶圆外延生长的控制，避免翘曲的形成。
-
公开(公告)号：CN114883915A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210812048.7
申请日：2022-07-12
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 四川大学
Abstract: 一种半导体发光器件及其制备方法和测试方法，其中，半导体发光器件包括：半导体衬底层；第一布拉格反射镜；有源层；第二布拉格反射镜；第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜中均有本体原子组；第一布拉格反射镜或第二布拉格反射镜中具有晶格调节原子，第一布拉格反射镜的衍射峰对应的衍射角和第二布拉格反射镜的衍射峰对应的衍射角不同，晶格调节原子与本体原子组中的原子不同。半导体器件可以通过衍射谱来判断是第一布拉格反射镜的周期厚度出现偏差还是第二布拉格反射镜的周期厚度出现偏差，降低了工艺成本，减少了资源浪费。
-
公开(公告)号：CN114883915B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210812048.7
申请日：2022-07-12
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 四川大学
Abstract: 一种半导体发光器件及其制备方法和测试方法，其中，半导体发光器件包括：半导体衬底层；第一布拉格反射镜；有源层；第二布拉格反射镜；第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜中均有本体原子组；第一布拉格反射镜或第二布拉格反射镜中具有晶格调节原子，第一布拉格反射镜的衍射峰对应的衍射角和第二布拉格反射镜的衍射峰对应的衍射角不同，晶格调节原子与本体原子组中的原子不同。半导体器件可以通过衍射谱来判断是第一布拉格反射镜的周期厚度出现偏差还是第二布拉格反射镜的周期厚度出现偏差，降低了工艺成本，减少了资源浪费。
-
公开(公告)号：CN115424921B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211381927.5
申请日：2022-11-07
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种生长半绝缘掺铁InP外延层的方法，包括：获取第一测试结构至第M测试结构中任意一个第m测试结构的电阻；根据第k测试结构和第k‑1测试结构的电阻获取第k‑1掺铁InP测试层的电阻；获取第一掺铁InP测试层至第M‑1掺铁InP测试层中任意第k‑1掺铁InP测试层的电阻rk‑1与Fe源的流量之间的第一函数关系；获取第一函数关系中对应第一掺铁InP测试层至第M‑1掺铁InP测试层的电阻的峰值区域作为第一特征电阻；获取第一特征电阻在第一函数关系中对应的Fe源的流量范围的平均值作为第一特征Fe源流量；生长第一掺铁InP外延层。能使掺铁InP外延层中Fe的浓度稳定性提高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115424921A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211381927.5
申请日：2022-11-07
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种生长半绝缘掺铁InP外延层的方法，包括：获取第一测试结构至第M测试结构中任意一个第m测试结构的电阻；根据第k测试结构和第k‑1测试结构的电阻获取第k‑1掺铁InP测试层的电阻；获取第一掺铁InP测试层至第M‑1掺铁InP测试层中任意第k‑1掺铁InP测试层的电阻rk‑1与Fe源的流量之间的第一函数关系；获取第一函数关系中对应第一掺铁InP测试层至第M‑1掺铁InP测试层的电阻的峰值区域作为第一特征电阻；获取第一特征电阻在第一函数关系中对应的Fe源的流量范围的平均值作为第一特征Fe源流量；生长第一掺铁InP外延层。能使掺铁InP外延层中Fe的浓度稳定性提高。
-
公开(公告)号：CN114864712A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210780994.8
申请日：2022-07-05
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01S5/343 , C30B29/68 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种半导体异质界面组分的调节方法及装置，该方法包括：对多组超晶格生长测试结果进行预处理，生成多个超晶格界面薄层组分和超晶格界面薄层厚度之间的关系数据；基于当前超晶格界面薄层厚度，利用多个超晶格界面薄层组分和超晶格界面薄层厚度之间的关系数据生成当前超晶格界面薄层组分；获取组分原子流量与当前超晶格界面薄层生长时间，基于当前超晶格界面薄层组分、组分原子流量和当前超晶格界面薄层生长时间确定源材料通入反应室的时间间隔；基于源材料通入反应室的时间间隔调节所述超晶格界面薄层组分。本方法实现了对当前超晶格界面薄层进行了有效表征，提升了超晶格的性能。
-
公开(公告)号：CN115207776B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211118583.9
申请日：2022-09-15
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/343
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体外延结构及其生长方法。所述半导体外延结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的下波导层；位于所述下波导层上的有源区，所述有源区包括铟镓铝砷量子阱层和势垒层，所述势垒层位于所述量子阱层的两侧，所述势垒层为砷化镓、铝镓砷或镓砷磷中的一种或多种组合；位于所述有源区上的上波导层。本申请避免有源区在高温下铟偏析，提高了激光器的稳定性。
-
公开(公告)号：CN114825046B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210732852.4
申请日：2022-06-27
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构的制备方法包括：在半导体衬底层上依次形成初始下波导层、初始有源层、初始上波导层、初始上限制层和初始接触层；对初始接触层和初始上限制层进行刻蚀，以使初始接触层形成接触层，使初始上限制层形成上限制层；以上限制层和接触层为掩膜，对初始上波导层、初始有源层和初始下波导层进行刻蚀，以使上波导层形成上波导层，使有源层形成有源层，使下波导层形成下波导层，下波导层、有源层和上波导层的侧壁相对于接触层和上限制层的侧壁向内凹进；在接触层上形成正面电极层。所述方法能兼顾窄的有源层、正面电极与接触层的接触性能较好。
-
公开(公告)号：CN114825046A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210732852.4
申请日：2022-06-27
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构的制备方法包括：在半导体衬底层上依次形成初始下波导层、初始有源层、初始上波导层、初始上限制层和初始接触层；对初始接触层和初始上限制层进行刻蚀，以使初始接触层形成接触层，使初始上限制层形成上限制层；以上限制层和接触层为掩膜，对初始上波导层、初始有源层和初始下波导层进行刻蚀，以使上波导层形成上波导层，使有源层形成有源层，使下波导层形成下波导层，下波导层、有源层和上波导层的侧壁相对于接触层和上限制层的侧壁向内凹进；在接触层上形成正面电极层。所述方法能兼顾窄的有源层、正面电极与接触层的接触性能较好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.044 seconds)
