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公开(公告)号：CN114497310A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210392751.7
申请日：2022-04-15
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法、半导体封装结构，侧向光模式控制高功率半导体器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的正面电极层，所述正面电极层包括电极注入区；在侧向光模式控制高功率半导体器件的慢轴方向上自电极注入区的中心区域至电极注入区的边缘区域，所述电极注入区的厚度递减。所述半导体器件兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113140965A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110424174.0
申请日：2021-04-20
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器外延结构及其制备方法，该结构包括：相对设置的第一波导层和第二波导层、以及位于第一波导层和第二波导层之间的有源层；第一波导层包括：相对设置的第一波导膜层和第二波导膜层；位于第一波导膜层和第二波导膜层之间的横模调制层，第一横模调制层的折射率分别小于第一波导膜层的折射率和第二波导膜层的折射率。通过实施本发明，在第一波导层中设置第一横模调制层，第一横模调制层的折射率小于两侧波导膜层的折射率，由此，设置的横模调制层可以调制基膜及高阶模式分布，使得高阶模限制因子降低，抑制高阶模式激射，从而解决现有技术中半导体激光器件高阶模易激射的问题。
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公开(公告)号：CN113140965B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202110424174.0
申请日：2021-04-20
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器外延结构及其制备方法，该结构包括：相对设置的第一波导层和第二波导层、以及位于第一波导层和第二波导层之间的有源层；第一波导层包括：相对设置的第一波导膜层和第二波导膜层；位于第一波导膜层和第二波导膜层之间的横模调制层，第一横模调制层的折射率分别小于第一波导膜层的折射率和第二波导膜层的折射率。通过实施本发明，在第一波导层中设置第一横模调制层，第一横模调制层的折射率小于两侧波导膜层的折射率，由此，设置的横模调制层可以调制基膜及高阶模式分布，使得高阶模限制因子降低，抑制高阶模式激射，从而解决现有技术中半导体激光器件高阶模易激射的问题。
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公开(公告)号：CN114497310B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210392751.7
申请日：2022-04-15
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法、半导体封装结构，侧向光模式控制高功率半导体器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的正面电极层，所述正面电极层包括电极注入区；在侧向光模式控制高功率半导体器件的慢轴方向上自电极注入区的中心区域至电极注入区的边缘区域，所述电极注入区的厚度递减。所述半导体器件兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高。
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公开(公告)号：CN113948967B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111565701.6
申请日：2021-12-21
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/20
Abstract: 一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的N型波导结构；位于所述N型波导结构背离所述半导体衬底层一侧表面的有源层；所述N型波导结构包括层叠的第一N型波导层和第二N型波导层，所述第二N型波导层位于所述第一N型波导层和所述有源层之间，所述第一N型波导层的导带能级和所述第二N型波导层的导带能级相同，所述第一N型波导层的价带能级低于所述第二N型波导层的价带能级。所述半导体结构提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN113948967A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111565701.6
申请日：2021-12-21
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/20
Abstract: 一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的N型波导结构；位于所述N型波导结构背离所述半导体衬底层一侧表面的有源层；所述N型波导结构包括层叠的第一N型波导层和第二N型波导层，所述第二N型波导层位于所述第一N型波导层和所述有源层之间，所述第一N型波导层的导带能级和所述第二N型波导层的导带能级相同，所述第一N型波导层的价带能级低于所述第二N型波导层的价带能级。所述半导体结构提高了发光效率。
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