公开(公告)号：CN110058801A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201811452659.5

申请日：2018-11-30

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·H·加斯基 ,  J·H·卡尔普

IPC: G06F3/06

Abstract: 描述了用于NAND存储器的技术。所述NAND存储器可以包括第一类型专用存储器块。所述NAND存储器可以包括第二类型专用存储器块。所述NAND存储器可以包括用以使用第一第一类型存取模式对第一类型专用存储器块执行数据操作的逻辑单元。所述NAND存储器可以包括用以使用第二第一类型存取模式对可变类型存储器块执行数据操作的逻辑单元。

公开(公告)号：CN113204313A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202010972881.9

申请日：2020-09-16

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·S·马德拉斯瓦拉 ,  K·H·加斯基 ,  S·穆努库特拉 ,  T·万库 ,  H·金

IPC: G06F3/06

Abstract: 本公开的实施例针对用于存储器装置的技术和配置，该存储器装置被配置有包括段的序列的擦除命令。在一个实施例中，存储器装置被配置为响应于由主机提供的请求而生成擦除命令，以擦除存储在存储器设备中的数据的至少一部分。擦除命令包括擦除段的序列，这些擦除段提供擦除电压以用于擦除存储在存储器装置中的数据的部分。存储器装置被配置为在序列中的至少两个相邻的擦除段之间的时间段期间，准予对存储器装置的存取，以用于对由主机发起的存储器存取请求提供服务。可以描述和/或要求保护其他实施例。