公开(公告)号：CN107316862B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201710281607.5

申请日：2017-04-26

Applicant: 英特矽尔美国有限公司

Inventor： 阿布·T·卡比尔

IPC: H01L27/02

Abstract: 增强ESD钳位器具有连接在MOSFET器件的主体端子和源极端子之间的电阻器。在一个示例性实施例中，MOSFET器件是接地栅极NMOS(ggNMOS)晶体管器件，所述电阻器(“体电阻”)在外部连接至MOSFET器件。在另一个实施例中，MOSFET器件是ggPMOS晶体管器件。在另一个实施例中，体电阻设置在MOSFET器件内部并在内部连接到MOSFET器件。在任何情况下，当ESD事件发生时，体电阻的电阻值决定ESD钳位器的触发电压将被降低至的电平。

公开(公告)号：CN107452731A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710281744.9

申请日：2017-04-26

Applicant: 英特矽尔美国有限公司

Inventor： 阿布·T·卡比尔

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/62

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/027 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42304 ,  H01L27/0251 ,  H01L23/62 ,  H01L27/0292

Abstract: 一种多指ESD保护装置的增强布局具有若干实施例。在这些实施例中，用作基于多指NPN(基于多指PNP)的多指ESD保护装置中的电压钳位器的NPN(或PNP)晶体管的基极触点设置在多指ESD保护装置的相对边缘处并且垂直于多指ESD保护装置中的指状物的取向定向。类似地，在基于多指NMOS(或基于多指PMOS)的多指ESD保护装置中用作电压钳位器的NMOS(或PMOS)晶体管的主体触点设置在多指ESD保护装置的相对边缘处并且垂直于多指ESD保护装置中的指状物的取向定向。

公开(公告)号：CN107316862A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710281607.5

申请日：2017-04-26

Applicant: 英特矽尔美国有限公司

Inventor： 阿布·T·卡比尔

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H02H9/046 ,  H01L27/0277 ,  H01L27/0288

Abstract: 增强ESD钳位器具有连接在MOSFET器件的主体端子和源极端子之间的电阻器。在一个示例性实施例中，MOSFET器件是接地栅极NMOS(ggNMOS)晶体管器件，所述电阻器(“体电阻”)在外部连接至MOSFET器件。在另一个实施例中，MOSFET器件是ggPMOS晶体管器件。在另一个实施例中，体电阻设置在MOSFET器件内部并在内部连接到MOSFET器件。在任何情况下，当ESD事件发生时，体电阻的电阻值决定ESD钳位器的触发电压将被降低至的电平。