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公开(公告)号：CN115930753A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211210059.4
申请日：2022-09-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及位置传感器系统、光学透镜系统和显示器。一种位置传感器系统(100)包括在读出方向(104)上延伸并且包括沿着读出方向(104)以恒定的间距(108)交替的磁极的磁条(102)。至少第一差分磁阻传感器(110)包括以间距(108)间隔开的磁阻感测元件(110a，110b)。磁条(102)的磁极和第一差分磁阻传感器(110)在读出方向(104)上相对于彼此可移动。
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公开(公告)号：CN117939995A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311031298.8
申请日：2023-08-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及自旋阀装置和用于形成自旋阀装置的方法。本公开提出了一种包括层堆叠的自旋阀装置(400)。该层堆叠包括形成单向性磁化参考系统的一个或多个层(106；107；108；109；110)、涡旋磁化自由层、将参考系统与自由层(102)分离的非磁性层(104)、以及形成交换耦联到自由层(102)的偏置结构(402)的一个或多个层，所述偏置结构具有预定旋转方向的闭合通量的涡旋磁化。
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公开(公告)号：CN109004087B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201810579903.8
申请日：2018-06-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于生成闭合通量磁化图案的磁阻传感器和方法。磁阻传感器包括磁性参考层。磁性参考层包括预定旋转方向的永久闭合通量磁化图案。此外，磁阻传感器包括磁性自由层。磁性自由层的总横向面积小于磁性参考层的总横向面积。磁性自由层的质心相对于磁性参考层的中心体被横向移位。
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公开(公告)号：CN109507619A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811063642.0
申请日：2018-09-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R33/07
Abstract: 本申请涉及磁性传感器设备和方法。提供了一种磁性传感器设备，用于确定磁性部件绕旋转轴的旋转速度、旋转方向和/或旋转角度。磁性传感器设备包括相对于对称轴呈旋转对称的磁体，其中在磁体内沿着对称轴形成有凹槽。进一步地，磁性传感器设备包括布置在凹槽内和对称轴上的第一磁性传感器元件以及布置在凹槽内和对称轴上的第二磁性传感器元件。附加地，磁性传感器设备包括集成电路，该集成电路被布置在凹槽内并且被配置为基于第一磁性传感器元件的第一输出信号和第二磁性传感器元件的第二输出信号来确定磁性部件的旋转速度、旋转方向和/或旋转角度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118011293A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311380327.1
申请日：2023-10-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有能自由选择的磁工作点的磁阻磁场传感器。本发明公开了一种磁阻磁场传感器(100)，该磁阻磁场传感器具有四个磁阻元件(110、120、130、140)，其中四个磁阻元件布置在惠斯通全桥电路中。在第一半桥中布置分别具有相反的电导变化行为的第一和第二磁阻元件(110、120)。在第二半桥中布置分别具有相反的电导变化行为的第三和第四磁阻元件(130、140)。当没有施加外部磁场(B＝0T)时，四个磁阻元件中的至少两个磁阻元件具有不同的电导(G1、G2、G3、G4)。当施加具有预先定义的磁场强度B≠0T的外部磁场时，四个磁阻元件中的每两个磁阻元件具有相同的电导。
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公开(公告)号：CN110657828B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201910575575.9
申请日：2019-06-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例包括磁传感器惠斯通电桥中的杂散场抑制。一种磁传感器包括桥电路，其包括多个磁场传感器元件，每个磁场传感器元件被配置为响应于撞击在其上的磁场而生成传感器信号，其中桥电路被配置为基于由多个磁场传感器元件生成的传感器信号来生成差分信号。桥电路还包括多个电阻器，其中多个电阻器中的至少一个电阻器并联耦合到多个磁场传感器元件中的每个磁场传感器元件。
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公开(公告)号：CN110657828A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910575575.9
申请日：2019-06-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例包括磁传感器惠斯通电桥中的杂散场抑制。一种磁传感器包括桥电路，其包括多个磁场传感器元件，每个磁场传感器元件被配置为响应于撞击在其上的磁场而生成传感器信号，其中桥电路被配置为基于由多个磁场传感器元件生成的传感器信号来生成差分信号。桥电路还包括多个电阻器，其中多个电阻器中的至少一个电阻器并联耦合到多个磁场传感器元件中的每个磁场传感器元件。
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公开(公告)号：CN110095140A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910082017.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01D5/245
Abstract: 本文公开了具有低成本背偏置磁体的差分顶部读取磁传感器。一种传感器模块可以包括具有在第一方向上的磁化的磁体、以及传感器芯片，该传感器芯片包括布置在由传感器芯片限定的平面上的第一感测元件和第二感测元件。第一方向可以基本上平行于传感器芯片的主表面。第一感测元件和第二感测元件可以对磁场的沿着第一方向的面内分量敏感，或者可以对磁场的垂直于第一方向的面内分量敏感。第一感测元件和第二感测元件可以沿着第一方向被定位为超出磁体的边缘，使得第一感测元件和第二感测元件沿着第一方向突出超过磁体的边缘。
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公开(公告)号：CN105259519A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510401626.8
申请日：2015-07-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G01R33/0094 , G01R33/0029
Abstract: 本公开公开了使用第一类型的第一磁场传感器和不同于第一类型的第二类型的第二磁场传感器的设备、方法和系统。来自第一传感器的信号可以在第一磁场范围中使用，并且来自第二传感器的信号可以在第二磁场范围中使用。
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