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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111226147B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201880064598.7
申请日：2018-08-03
Applicant: 菲尼萨公司
Inventor： 丹尼尔·马哈格里夫特 , 罗英 , 李珍亨 , 林诗韵
Abstract: 在一个示例实施方式中，集成硅光子波分解复用器包括输入波导、输入端口、多个输出波导、多个输出端口、第一辅助波导和多个辅助波导。输入波导可以形成在第一层中并且具有第一有效折射率n1。输入端口可以光学地耦合至输入波导。输出波导可以形成在第一层中并且可以具有第一有效折射率n1。输出端口中的每一个可以光学地耦合至对应的输出波导。第一辅助波导可以形成在第二层中，在第一层中的输入波导下方。第一辅助波导可以具有第二有效折射率n2并且可以具有两个锥形端，并且n2可以高于n1。
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公开(公告)号：CN115712170A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211423743.0
申请日：2018-12-06
Applicant: 菲尼萨公司
Abstract: 本公开提供了一种光子系统，包括：PIC，包括第一SiN波导；以及第二SiN波导，其通过在朝向第一SiN波导的方向上增加厚度来竖直锥化，并且通过在离开第一SiN波导的方向上减小厚度来竖直锥化，其中：第一SiN波导包括具有第一有效折射率n1的锥形端；并且第二SiN波导和第三SiN波导一起形成两端处的有效折射率n2的第一和第二低折射率对比部分、第一和第二低折射率对比部分之间的第三高折射率对比部分，第三高折射率对比部分具有第三有效折射率n3和竖直锥形部，该竖直锥形部将第一低和第二低折射率对比部分绝热地耦合至第三高折射率对比部分，n3接近n1且n3>n2，并且第一SiN波导的锥形端光耦合至第三高折射率对比部分。
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公开(公告)号：CN111566527A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880085856.X
申请日：2018-12-06
Applicant: 菲尼萨公司
Abstract: 在示例中，光子系统和方法包括光子集成电路(PIC)，该光子集成电路包括硅(Si)波导和第一氮化硅(SiN)波导。该系统还包括中介层，该中介层包括第二SiN波导，该第二SiN波导通过以下操作在第二SiN波导上包括竖直锥形部：在朝向第一SiN波导的方向上增加第二SiN波导的厚度以允许绝热光模式转移，并在离开第一SiN波导的方向上减小第二SiN波导的厚度以抑制光模式转移。
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公开(公告)号：CN111566527B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201880085856.X
申请日：2018-12-06
Applicant: 菲尼萨公司
Abstract: 在示例中，光子系统和方法包括光子集成电路(PIC)，该光子集成电路包括硅(Si)波导和第一氮化硅(SiN)波导。该系统还包括中介层，该中介层包括第二SiN波导，该第二SiN波导通过以下操作在第二SiN波导上包括竖直锥形部：在朝向第一SiN波导的方向上增加第二SiN波导的厚度以允许绝热光模式转移，并在离开第一SiN波导的方向上减小第二SiN波导的厚度以抑制光模式转移。
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公开(公告)号：CN111226147A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880064598.7
申请日：2018-08-03
Applicant: 菲尼萨公司
Inventor： 丹尼尔·马哈格里夫特 , 罗英 , 李珍亨 , 林诗韵
Abstract: 在一个示例实施方式中，集成硅光子波分解复用器包括输入波导、输入端口、多个输出波导、多个输出端口、第一辅助波导和多个辅助波导。输入波导可以形成在第一层中并且具有第一有效折射率n1。输入端口可以光学地耦合至输入波导。输出波导可以形成在第一层中并且可以具有第一有效折射率n1。输出端口中的每一个可以光学地耦合至对应的输出波导。第一辅助波导可以形成在第二层中，在第一层中的输入波导下方。第一辅助波导可以具有第二有效折射率n2并且可以具有两个锥形端，并且n2可以高于n1。
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