公开(公告)号：CN111552029B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202010082325.4

申请日：2020-02-07

Applicant: 菲尼萨公司

Inventor： D·马格雷夫特 ,  罗英 ,  林世运 ,  李金铉

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/125

Abstract: 光波导可包括硅部分和位于硅部分上方的氮化硅部分。硅部分可包括减小硅部分的宽度的锥部。光波导可包括在加载单模或多模波导到单模波导之间的过渡。氮化硅部分可将行进通过光波导的光信号限制在硅部分中。

公开(公告)号：CN111552029A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010082325.4

申请日：2020-02-07

Applicant: 菲尼萨公司

Inventor： D·马格雷夫特 ,  罗英 ,  林世运 ,  李金铉

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/125

Abstract: 光波导可包括硅部分和位于硅部分上方的氮化硅部分。硅部分可包括减小硅部分的宽度的锥部。光波导可包括在加载单模或多模波导到单模波导之间的过渡。氮化硅部分可将行进通过光波导的光信号限制在硅部分中。