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公开(公告)号：CN114420769A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111648165.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/054 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/10
Abstract: 本发明公开一种用于碲化镉薄膜电池上的分波段增透的颜色薄膜，包括以下步骤：S1.根据所需要的颜色出现的增反波段和单层膜的光学厚度公式，通过单层膜的光学厚度公式计算出第一层增反膜（n1>1.52）的厚度；S2.制备标样，分析碲化镉薄膜太阳能电池的吸收光谱，通过标样与单层膜的光学厚度公式计算出第二层增透膜（n2
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公开(公告)号：CN110323292A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910372254.9
申请日：2019-05-06
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层，包括m组相层叠的基础吸收层，每组基础吸收层均包含由下至上层叠的铜铟镓膜层与硒膜层，2≤m≤5；在制备时按以下步骤：S1、采用磁控溅射工艺，在薄膜太阳能电池背电极上沉积铜铟镓膜层；S2、采用真空蒸镀或者磁控溅射工艺在铜铟镓膜层上沉积硒膜层，得到由铜铟镓膜层与硒膜层构成的基础吸收层；S3、重复步骤S1与S2的沉积过程，层叠m组基础吸收层，得到铜铟镓硒前驱体，2≤m≤5；S4、将铜铟镓硒前驱体置于真空硒化炉中进行RTP退火，得到铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层；该吸收层解决了现有产品中存在的Ga偏析的问题，提高薄膜太阳能电池的开路电压及光电转换效率，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN109308952A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201811441773.8
申请日：2018-11-29
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: H01B5/14
Abstract: 本发明公开一种高透低阻可弯曲透明导电薄膜，包括柔性基底，柔性基底顶面依次层叠有预制导电层、第一透明导电膜层、高透减反层、超导层以及第二透明导电膜层；预制导电层为铝膜、银膜、金膜、铜膜或钛膜；第一透明导电膜层为铝掺杂氧化锌薄膜、加镓掺杂氧化锌薄膜、铟镓掺杂氧化锌薄膜或硼掺杂氧化锌薄膜；高透减反层为单分散SiO2小球薄膜；超导层为铝膜、银膜、金膜、铜膜或钛膜；第二透明导电膜层为铝掺杂氧化锌薄膜、加镓掺杂氧化锌薄膜、铟镓掺杂氧化锌薄膜或硼掺杂氧化锌薄膜；该薄膜具有附着力强、成本低、透过率高、电阻低且性能稳定的特点。
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公开(公告)号：CN108767020A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810560528.2
申请日：2018-06-04
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: H01L31/02 , H01L31/054 , C03C17/36
Abstract: 本发明公开一种硅基薄膜太阳能电池用陷光透明导电玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底表面由下至上依次层叠有第一AZO薄膜、第二AZO薄膜、Ag薄膜与第三AZO薄膜；第一AZO薄膜的厚度为100～120nm，第一AZO薄膜中Al2O3的含量为0.36～1.21 at%；第二AZO薄膜的厚度为100～120nm，第二AZO薄膜中Al2O3的含量为1.20～2.16at%；Ag薄膜的厚度为20nm；第三AZO薄膜的厚度为400～450nm，第三AZO薄膜中Al2O3的含量为2.16～3.01at%；本发明的导电玻璃透过率高、具有较高的雾度及电学性能，同时具有陷光功能。
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公开(公告)号：CN108149195A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711415344.9
申请日：2017-12-25
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/0036 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开一种超耐磨高透过率氧化锆薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面污渍并吹干；S2、将清洗后的衬底置入磁控溅射镀膜设备，当溅射腔体真空度符合要求时，对溅射腔体进行烘烤，排出溅射腔体内的杂质分子；S3、烘烤结束后，以锆为靶材，采用射频电源，氩气与氧气为溅射气体，通过磁控溅射在衬底沉积氧化锆薄膜；在过氧的情况下，采用大功率射频溅射，保证锆原子在沉积过程中能与反应气体充分反应得到氧化锆；大功率溅射可以保证锆原子初始能量较高，沉积在衬底时可以使氧化锆薄膜更致密，耐磨性好，且可以保证膜基结合力更好；工艺过程可以精确控制，保证氧化锆薄膜的厚度可控，满足透过率要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114394760A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111609910.6
申请日：2021-12-27
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: C03C15/00 , C03C17/245
Abstract: 本发明公开一种漫反射彩色玻璃的制备方法，包括：S1、清洗浮法玻璃；S2、对浮法玻璃进行单面封装，做阻止酸蚀保护处理；S3、将封装后的浮法玻璃浸入酸蚀液中酸蚀处理，酸蚀液由以下重量百分比的原料组成：15‑18%氢氟酸，15‑18%硫酸，11‑13%氟化氢铵，13‑15%氯化钾，5‑6%硫酸铵，3‑4%乙酸锌，3‑4%硝酸铝，3‑4%氯化钠以及25‑30%水；S4、将酸蚀后的浮法玻璃取出清洗，去除封装面；S5、对酸蚀玻璃非腐蚀面进行镀膜，采用磁控溅射法，ZrO2靶材，射频功率190‑210W，压力1.0‑1.4pa，Ar流量18‑22sccm进行镀膜。该方法能够制备得到高雾度漫反射彩色玻璃。
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公开(公告)号：CN109308952B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201811441773.8
申请日：2018-11-29
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: H01B5/14
Abstract: 本发明公开一种高透低阻可弯曲透明导电薄膜，包括柔性基底，柔性基底顶面依次层叠有预制导电层、第一透明导电膜层、高透减反层、超导层以及第二透明导电膜层；预制导电层为铝膜、银膜、金膜、铜膜或钛膜；第一透明导电膜层为铝掺杂氧化锌薄膜、加镓掺杂氧化锌薄膜、铟镓掺杂氧化锌薄膜或硼掺杂氧化锌薄膜；高透减反层为单分散SiO2小球薄膜；超导层为铝膜、银膜、金膜、铜膜或钛膜；第二透明导电膜层为铝掺杂氧化锌薄膜、加镓掺杂氧化锌薄膜、铟镓掺杂氧化锌薄膜或硼掺杂氧化锌薄膜；该薄膜具有附着力强、成本低、透过率高、电阻低且性能稳定的特点。
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公开(公告)号：CN110983280A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911353350.5
申请日：2019-12-25
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种离子束辅助沉积工艺制备W掺杂ZrO2薄膜的方法，包括以下步骤：a、采用单晶硅片为衬底，清洗衬底，去除衬底表面的污垢；b、将衬底放入离子束辅助沉积系统的腔室内，离子束辅助沉积系统采用钨靶与锆靶；c、启动离子束辅助沉积系统，先使用钨靶，在衬底表面沉积氧化钨薄膜；然后使用锆靶，在氧化钨薄膜表面沉积氧化锆薄膜；d、将沉积了薄膜的衬底放入退火炉，在1000℃的氧气气氛中退火3小时，使氧化钨在氧化锆薄膜中均匀扩散；然后随炉冷却至常温即得到W掺杂ZrO2薄膜；该方法能够进行任意W掺杂量的ZrO2薄膜的制备，并且不需要另外制作混合靶材，方法简单、可控性强。
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公开(公告)号：CN110894592A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201911352670.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种自旋半导体ZrO2薄膜的制备方法，包括以下步骤：a、清洗衬底，去除衬底表面的污渍；b、将衬底置于磁控溅射腔室内，采用金属锆作为靶材，在衬底表面沉积ZrO2薄膜；c、采用离子注入机，以O2为氧源，对准ZrO2薄膜进行氧离子的注入，使氧过量，得到自旋半导体ZrO2薄膜；该方法利用ZrO2进行磁性改变，工艺简单，可控性、操作性强，且整个过程不会引入其他杂质。
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公开(公告)号：CN109448922A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811441772.3
申请日：2018-11-29
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种柔性可弯曲电子信息玻璃的制备方法，包括以下步骤：S1、采用经过羟基化处理的柔性基底，在柔性基底表面制备预制导电层；S2、采用磁控溅射或原子层沉积工艺在预制导电层表面制备第一透明导电膜层；S3、在第一透明导电膜层表面制备高透减反层；S4、在高透减反层表面制备超导层；S5、采用磁控溅射或原子层沉积工艺在超导层表面制备第二透明导电膜层，得到所述柔性可弯曲电子信息玻璃；本发明方法能够制备出的柔性可弯曲电子信息玻璃具有附着力强、成本低、透过率高、电阻低且性能稳定的优点。
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