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公开(公告)号：CN101630537B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910023133.X
申请日：2009-06-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种肖特基结的微型核电池及其制备方法，属于半导体、核物理和微能源领域。该电池的保护环6位于本征i层4上方的势垒金属层7外围环形区域；上电极金属层8将电信号从钝化层5和势垒金属层7的交界面上引出；钝化层5覆盖本征i层4上方除势垒金属层7和保护环6之外的所有区域；同位素9覆盖在势垒金属层7上方；本征i层4下方依次为形状大小一致的n+型半导体层3、欧姆接触层2和下电极金属层1。此外，也公开了改核电池的制作方法。本发明公开的微型核电池，保护环的加入，抑制了表面漏电、界面态电流对辐生电流的影响，间接提高了开路电压，同时增大了器件对低能量放射源的灵敏度，从而改善器件能量转换效率。
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公开(公告)号：CN101599309A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910023135.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种SiC肖特基结式Alpha放射性同位素电池及其制作方法，属于微能源、半导体和核物理领域。该电池依次包括Alpha核素6、上电极5、Schottky金属层4、SiO2钝化层3、n－型SiC层2、n+型SiC层1、欧姆接触层7、下电极8。其中n－型SiC层2和Schottky金属层4形成肖特基结，SiO2钝化层3位于n－型SiC层2上方的Schottky金属层4外围环形区域，Alpha核素6为Alpha放射性同位素。本发明公开的电池一方面使用抗辐射能力强的SiC半导体材料，使得Alpha放射性同位素电池的效率更高、使用寿命更长；另一方面使用肖特基结构，不需要通过离子注入来形成良好的欧姆接触，也不需要通过高温退火来对p型SiC表面进行保护以避免产生沟状的表面结构，从而简化了工艺，相应地降低了制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101599308A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910023134.4
申请日：2009-06-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种PN结或PIN结式的微型核电池及其制备方法，属于半导体、核物理和微能源领域。该电池在传统的PN结或PIN结式微型核电池的基础上，在p+型半导体层5的外围环形区域设计有一个保护环6；同时在保护环6上方有一个保护环接触电极8将电信号引出；此外，也公开了改核电池的制作方法。本发明公开的微型核电池，保护环的加入抑制了表面漏电、界面态电流对辐生电流的影响，间接提高了开路电压，同时增大了器件对低能量放射源的灵敏度，从而改善器件能量转换效率。
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公开(公告)号：CN101320601A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810150069.7
申请日：2008-06-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅肖特基结式核电池及其制作方法，属于半导体、核物理和微能源领域。该结构依次包括核素6、上电极金属层5、金属黏附层4、势垒金属层3、本征i层2、n+型SiC层1、欧姆接触层7、金属过渡层8、金属阻挡层9和下电极金属层10，其中的n+型SiC层1和势垒金属层3形成肖特基结。此外，本发明还公开了该结构的制作方法。由于本发明提供的同位素能量转换结构是基于碳化硅基底的肖特基结式的，而不是采用p－n结或p－i－n结式，因此不需要通过离子注入来形成良好的欧姆接触，也不需要通过高温退火来对p型SiC表面进行保护以避免产生沟状的表面结构，从而简化了工艺，相应地降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN101599308B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200910023134.4
申请日：2009-06-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种PN结或PIN结式的微型核电池及其制备方法，属于半导体、核物理和微能源领域。该电池在传统的PN结或PIN结式微型核电池的基础上，在p+型半导体层5的外围环形区域设计有一个保护环6；同时在保护环6上方有一个保护环接触电极8将电信号引出；此外，也公开了改核电池的制作方法。本发明公开的微型核电池，保护环的加入抑制了表面漏电、界面态电流对辐生电流的影响，间接提高了开路电压，同时增大了器件对低能量放射源的灵敏度，从而改善器件能量转换效率。
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公开(公告)号：CN101630537A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910023133.X
申请日：2009-06-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种肖特基结的微型核电池及其制备方法，属于半导体、核物理和微能源领域。该电池的保护环6位于本征i层4上方的势垒金属层7外围环形区域；上电极金属层8将电信号从钝化层5和势垒金属层7的交界面上引出；钝化层5覆盖本征i层4上方除势垒金属层7和保护环6之外的所有区域；同位素9覆盖在势垒金属层7上方；本征i层4下方依次为形状大小一致的n + 型半导体层3、欧姆接触层2和下电极金属层1。此外，也公开了改核电池的制作方法。本发明公开的微型核电池，保护环的加入，抑制了表面漏电、界面态电流对辐生电流的影响，间接提高了开路电压，同时增大了器件对低能量放射源的灵敏度，从而改善器件能量转换效率。
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公开(公告)号：CN101320601B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200810150069.7
申请日：2008-06-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅肖特基结式核电池及其制作方法，属于半导体、核物理和微能源领域。该结构依次包括核素6、上电极金属层5、金属黏附层4、势垒金属层3、本征i层2、n+型SiC层1、欧姆接触层7、金属过渡层8、金属阻挡层9和下电极金属层10，其中的n+型SiC层1和势垒金属层3形成肖特基结。此外，本发明还公开了该结构的制作方法。由于本发明提供的同位素能量转换结构是基于碳化硅基底的肖特基结式的，而不是采用p-n结或p-i-n结式，因此不需要通过离子注入来形成良好的欧姆接触，也不需要通过高温退火来对p型SiC表面进行保护以避免产生沟状的表面结构，从而简化了工艺，相应地降低了制造成本。
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