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公开(公告)号：CN115189478B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210839483.9
申请日：2022-07-18
Abstract: 本发明属于高功率微波技术领域，公开了一种大口径重频脉冲导引磁场装置，包括上位机、远程控制器、充电开关、放电开关、充电器、储能电容器、螺线管磁体、馈能回路、泄能回路。该装置采用带有能量回馈的电路拓扑，具有结构紧凑、能耗低、磁场灵活可调等优点，降低了高功率微波源磁体系统的维护难度和运行成本。根据过模高功率微波产生器对导引磁场的需求，该装置实现磁体孔径131mm，磁场强度在1T以下灵活可调，能够以30Hz重复频率连续工作，重复精度为0.2％。将本发明应用于高功率微波产生系统中，能够提升高功率微波源的总体效率，推动重频高功率微波技术向小型化、实用化发展。
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公开(公告)号：CN112563094B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202011449225.7
申请日：2020-12-09
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J23/04
Abstract: 本发明属于高功率微波技术领域，公开了一种抑制无箔二极管中电子束回流的方法，该方法在无箔二极管中应用斜面阴极，并将其完全浸没在均匀轴向磁场中；斜面阴极为与二极管同轴的回转体结构，斜面阴极的平顶段、直段与二极管轴线平行，前斜面与二极管轴线之间的夹角为θ1，后斜面与二极管轴线之间的夹角为θ2，平顶段与直段之间的垂直距离为斜面阴极半径最大增加量R，在保证阴极引杆上电场强度小于400kV/cm的条件下，通过增大斜面阴极半径最大增加量R实现电子束回流抑制。本发明通过在无箔二极管中应用斜面阴极，斜面阴极完全浸没在均匀引导磁场中，回流电子束会受到斜面阴极附近较强负电势的抑制作用以及斜面阴极的阻挡吸收作用，从而抑制电子束回流。
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公开(公告)号：CN115189478A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210839483.9
申请日：2022-07-18
Abstract: 本发明属于高功率微波技术领域，公开了一种大口径重频脉冲导引磁场装置，包括上位机、远程控制器、充电开关、放电开关、充电器、储能电容器、螺线管磁体、馈能回路、泄能回路。该装置采用带有能量回馈的电路拓扑，具有结构紧凑、能耗低、磁场灵活可调等优点，降低了高功率微波源磁体系统的维护难度和运行成本。根据过模高功率微波产生器对导引磁场的需求，该装置实现磁体孔径131mm，磁场强度在1T以下灵活可调，能够以30Hz重复频率连续工作，重复精度为0.2％。将本发明应用于高功率微波产生系统中，能够提升高功率微波源的总体效率，推动重频高功率微波技术向小型化、实用化发展。
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公开(公告)号：CN113594873A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110807164.5
申请日：2021-07-16
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01T1/22
Abstract: 本发明公开了一种表面具有金属微柱阵列的电极及其制备方法。该电极的表面为直径在数十微米到数百微米量级的金属微柱阵列结构。相比于平面电极结构，本发明的电极结构能够在每个金属微柱的顶端增强电场，在高电压的作用下，每个金属微柱均能有效的发射电子；保证了电极发射电子位置的稳定性，有效降低发射电压的分散性。为实现该电极结构的制备，提出了一种结合覆膜‑激光阵列刻蚀‑空间受限电镀的制备方法。首先将金属表面清洗干净，在表面覆上绝缘膜，而后通过激光刻蚀的方式在覆膜的表面刻蚀出阵列圆柱孔，接着通过电镀的方式，将阵列圆柱孔内部电镀上金属，最后通过高温碳化的方式除去多余的绝缘膜，得到表面具有金属微柱阵列的电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109860010A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910081017.7
申请日：2019-01-28
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J29/54
Abstract: 本发明为一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法，即在圆柱漂移管z0≤z≤z1范围内，施加沿-r方向的径向电场，在均匀磁场的约束下，电子进行拉莫尔回旋运动，经过施加局部电场的区域时，径向电场对电子做功以改变电子束径向振荡，当电子进入局部电场区域时处于径向振荡的峰值附近，且离开局部电场区域时处于径向振荡的谷值附近时，沿-r方向的径向电场会对电子做负功，从而减小电子束的横向动量，最终达到抑制电子束径向振荡的目的。
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公开(公告)号：CN118431302A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410538840.7
申请日：2024-04-30
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L23/60
Abstract: 本发明涉及一种阳极静电屏蔽凹槽结构抑制回流二极管，属于真空电子技术领域，延缓零场区产生的离子或者带电粉尘运动至阴极引杆的技术问题，其包括阴极、阳极、凹槽结构。凹槽结构设置在阳极回流轰击区域，包括A部分和B部分，均为金属材料，除半径最大处外，其它角部位置均倒角处理。A部分和B部分与阴极指向阳极的磁力线不相交，包围阴极发射的电子轰击点，阴极回流不能直接轰击A部分或B部分。A部分和B部分相邻侧直线距离为1mm～3mm，A部分的最小半径小于B部分的最小半径，阴极包括阴极引杆。该抑制回流二极管用于降低回流轰击点表面静电场强。
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公开(公告)号：CN112563094A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011449225.7
申请日：2020-12-09
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J23/04
Abstract: 本发明属于高功率微波技术领域，公开了一种抑制无箔二极管中电子束回流的方法，该方法在无箔二极管中应用斜面阴极，并将其完全浸没在均匀轴向磁场中；斜面阴极为与二极管同轴的回转体结构，斜面阴极的平顶段、直段与二极管轴线平行，前斜面与二极管轴线之间的夹角为θ1，后斜面与二极管轴线之间的夹角为θ2，平顶段与直段之间的垂直距离为斜面阴极半径最大增加量R，在保证阴极引杆上电场强度小于400kV/cm的条件下，通过增大斜面阴极半径最大增加量R实现电子束回流抑制。本发明通过在无箔二极管中应用斜面阴极，斜面阴极完全浸没在均匀引导磁场中，回流电子束会受到斜面阴极附近较强负电势的抑制作用以及斜面阴极的阻挡吸收作用，从而抑制电子束回流。
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公开(公告)号：CN109872933A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910080324.3
申请日：2019-01-28
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J23/087 , H01J23/10 , H01J61/02
Abstract: 本发明属于高功率微波技术领域，公开了一种减小电子束径向振荡相位差的方法，该方法立足于提高冷阴极爆炸发射电子初始相位的一致性，部分解决低引导磁场条件下爆炸发射电子速度离散引起的径向振荡问题。所述减小电子束径向振荡相位差的方法可以通过在冷阴极爆炸发射表面附近区域加载非均匀磁场加以实现。非均匀磁场的加载可以调整冷阴极表面附近的引导磁场位形，提高发射电子出射方向和运动路径的一致性，进而抑制电子之间由于速度离散引起的径向剧烈振荡。将该技术应用于低引导磁场高功率微波产生器件研制中，能够改进爆炸发射电子束的束流品质，提高高功率微波产生器的工作效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN113594873B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110807164.5
申请日：2021-07-16
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01T1/22
Abstract: 本发明公开了一种表面具有金属微柱阵列的电极及其制备方法。该电极的表面为直径在数十微米到数百微米量级的金属微柱阵列结构。相比于平面电极结构，本发明的电极结构能够在每个金属微柱的顶端增强电场，在高电压的作用下，每个金属微柱均能有效的发射电子；保证了电极发射电子位置的稳定性，有效降低发射电压的分散性。为实现该电极结构的制备，提出了一种结合覆膜‑激光阵列刻蚀‑空间受限电镀的制备方法。首先将金属表面清洗干净，在表面覆上绝缘膜，而后通过激光刻蚀的方式在覆膜的表面刻蚀出阵列圆柱孔，接着通过电镀的方式，将阵列圆柱孔内部电镀上金属，最后通过高温碳化的方式除去多余的绝缘膜，得到表面具有金属微柱阵列的电极。
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