公开(公告)号：CN119936602A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510113417.7

申请日：2025-01-24

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 宋文胜 ,  徐朋程 ,  陈健 ,  谭淏洋 ,  杨柯欣 ,  谢东 ,  麻宸伟 ,  葛兴来

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及IGBT模块监测技术领域，具体公开了一种多芯片IGBT模块芯片开路失效监测方法及系统，首先确定监测多芯片IGBT模块芯片开路失效的健康敏感参数，然后测量多芯片IGBT模块的健康敏感参数值并将其转化为模拟电压信号VPG，然后确定判定多芯片IGBT模块发生芯片开路失效的模拟电压信号VPG的失效阈值VREF3，最后将实测的模拟电压信号VPG和失效阈值VREF3进行比对，判定多芯片IGBT模块是否发生芯片开路失效。本发明在不拆封多芯片IGBT模块封装的情况下，实现多芯片IGBT模块芯片开路失效监测，且仅需要采集栅极电压信号，受影响因素少，易于测量，具有非侵入性，可即插即用或集成在驱动电路中，易于实现多芯片IGBT模块的芯片开路失效原位监测。

公开(公告)号：CN118169529B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202410156868.4

申请日：2024-02-04

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 宋文胜 ,  谭淏洋 ,  杨柯欣 ,  陈健 ,  唐涛 ,  徐朋程 ,  麻宸伟 ,  葛兴来

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种用于结温监测的电阻承压型导通压降测量电路及监测方法，测量电路包含高阻值串联高压电阻RL，开关二极管D1与D2，低压MOSFET M1，反相器U1，三态门U2，电阻R1与电容C1组成的RC延时电路，限流电阻R2与R3，辅助电压源VDD与VCC，运算放大器U3，隔离运算放大器U1；监测方法为：设计基于高阻值电阻的导通压降采样电路并根据实际应用场景进行参数选型，在离线条件下测量不同结温下的集电极电流与导通压降模型，为在线监测提供计算模型，在在线条件下根据离线条件测试所得到的模型，开展对结温的在线监测。本发明具有成本低，可靠性高，可以适应高压与宽环境温度范围的导通压降测量的优点。

公开(公告)号：CN118169529A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410156868.4

申请日：2024-02-04

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 宋文胜 ,  谭淏洋 ,  杨柯欣 ,  陈健 ,  唐涛 ,  徐朋程 ,  麻宸伟 ,  葛兴来

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种用于结温监测的电阻承压型导通压降测量电路及监测方法，测量电路包含高阻值串联高压电阻RL，开关二极管D1与D2，低压MOSFET M1，反相器U1，三态门U2，电阻R1与电容C1组成的RC延时电路，限流电阻R2与R3，辅助电压源VDD与VCC，运算放大器U3，隔离运算放大器U1；监测方法为：设计基于高阻值电阻的导通压降采样电路并根据实际应用场景进行参数选型，在离线条件下测量不同结温下的集电极电流与导通压降模型，为在线监测提供计算模型，在在线条件下根据离线条件测试所得到的模型，开展对结温的在线监测。本发明具有成本低，可靠性高，可以适应高压与宽环境温度范围的导通压降测量的优点。