一种电压过冲尖峰定量抑制的SiC MOSFET驱动方法及系统

    公开(公告)号:CN119834597A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510113234.5

    申请日:2025-01-24

    Abstract: 本申请提供一种电压过冲尖峰定量抑制的SiC MOSFET驱动方法及系统,方法步骤为:将SiC MOSFET漏源电压降低到后级电路能检测的电压范围;检测降级后漏源电压的输出,保持漏源电压的过冲峰值并输出;对输出的漏源电压过冲峰值进行采样;根据漏源电压识别器件关断的电流下降阶段,输出脉冲信号;运行PI控制模块得到压控电流源输出电流值,并输出与压控电流源输出电流对应的电压值;以对应的电压值作为输入,以脉冲信号触发压控电流源输出,向SiC MOSFET栅极注入额外的驱动电流,调控电压过冲尖峰。本申请实现了电压过冲峰值的闭环控制,定量地抑制了电压过冲峰值,提高了可靠性和效率。

    并联功率模块瞬态均流方法及系统

    公开(公告)号:CN119727334A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411925605.1

    申请日:2024-12-25

    Abstract: 本发明涉及电力电子技术领域,具体公开了一种并联功率模块瞬态均流方法及系统,该方法采样并联的N个功率模块的电流并转化为感应电压;对采样的感应电压进行积分还原,得到对应的积分电压;将N个积分电压中最大的作为基准电流等效值,将N个积分电压作为对比电流等效值;计算基准电流等效值与N个对比电流等效值之间的电流等效差值;根据N个电流等效差值生成相应的额外驱动电流注入对应功率模块的栅极。该系统设置采样单元、有源积分单元、最大值选择单元、电流差计算单元和驱动电流注入单元实现方法中的各个步骤,这些单元由比较器、电阻、二极管、滤波器等基本的电子元器件搭建而成。该发明均流效果好、成本低、尺寸紧凑、响应快速。

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