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公开(公告)号：CN116813322B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202310760683.X
申请日：2023-06-27
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于磁性材料领域，公开了一种高介电常数旋矩铁氧体材料及其制备方法，其化学式组成为：BiaCa0.45Y2.55‑a‑b‑cGdb(SnxZr1‑x)0.45(MnCe)cFe4.55‑cO12，其中0.8≤a≤1.0，0.7≤b≤1.2，0.05≤c≤0.1，0.1≤x≤0.9，通过氧化物固相反应法制备；采用适量的Bi3+取代，可将材料的介电常数由14提升至20以上；通过调控Gd3+含量，对剩磁进行调控，同时提升材料温度稳定性；Sn4+、Zr4+联合取代，并将联合体取代量设定为定值，将材料各向异性常数保持在较低值，降低损耗；采用Mn2+、Ce4+联合取代，提高材料剩磁稳定性，增加剩磁比。本发明的旋矩铁氧体材料具有介电常数高、剩磁比高、矫顽力低、电磁损耗小等特点，可满足铁氧体开关、移相器小型化对材料高介电常数、高剩磁比、低损耗的需求。
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公开(公告)号：CN116780140A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202311085848.4
申请日：2023-08-28
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种准二维平面化环行器/隔离器，属于微波铁氧体器件技术领域，包括铁氧体、微带射频电路和背面金属化。本发明利用低损耗六角旋磁材料高的各向异性场，取代外加磁钢，并结合与之匹配的微带射频电路，实现环行器的准二维和平面化，大大减小器件的尺寸和重量；相对于现有同频段微带环行器/隔离器，本发明器件的尺寸重量可减少约90%，更有利于实现整机系统的小型化、集成化和低成本，并可实现与半导体器件的系统化集成。
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公开(公告)号：CN115385679B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202211052094.8
申请日：2022-08-30
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , H01F1/01
Abstract: 本发明公开了一种高剩磁比高矫顽力低铁磁共振线宽锶铁氧体材料及其制备方法，属于微波与磁性材料技术领域，其化学式为:LaxCaySr1‑x‑yFe12‑z‑f‑g‑δCozAlfMngO19，其中0.05≤x≤0.2，0.04≤y≤0.16，0.05≤z≤0.2，0.1≤f≤0.25，0.04≤g≤0.16，δ为缺铁量，0≤δ≤0.2，还公开了上述材料的制备方法；本发明的材料兼具高剩磁比、高矫顽力和低铁磁共振线宽特性，剩磁比＞0.92@1T，剩磁比＞0.88@2T，矫顽力＞4150 Oe，铁磁共振线宽＜451 Oe，并且兼具较好的永磁性能；饱和磁化强度4πMs＞4671 Gs，最大磁能积＞4.15 MGOe，各向异性常数K1＞3.86×106 erg/cm3；本发明的材料可用于设计自偏置环行器和隔离器，有效减小器件设计尺寸，满足器件平面化、小型化需求。
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公开(公告)号：CN119772663A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411965479.2
申请日：2024-12-30
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种超小型波导器件用铁氧体基片加工方法，属于微波技术领域，其步骤包括在铁氧体工件外周包裹树脂等具有粘接和固化效果的材料得到复合块体、切割复合块体、研磨抛光复合块体及去除韧性材料等；采用本发明的方法，可以对最小为φ1*0.4mm基片进行研磨抛光加工，抛光后表面粗糙度为20nm，厚度公差为±0.005mm，从而有效提升批次合格率至60%以上。
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公开(公告)号：CN115504777B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202211118701.6
申请日：2022-09-15
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01Q17/00 , H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种兆赫兹频段高性能铁氧体吸波材料及制备方法，属于低频吸波材料技术领域，所述吸波材料的化学式组成为：NiaZnbCucMgdFe15‑a‑b‑c‑dO20+xwt%Co2O3+ywt%CaCO3，其中，0.8≤a≤2.8，0.5≤b≤2，0.4≤c≤1，0.1≤d≤0.5，Co2O3和CaCO3为掺杂料，并且1≤x+y≤7；本发明通过离子代换和二次料调控材料的复介电常数和复磁导率，进而调节镍锌铁氧体材料的吸波带宽和吸收强度，通过调整配方参数，可以使得镍锌铁氧体在较薄的厚度下（d
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114477995A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210164462.1
申请日：2022-02-23
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种中饱和磁化强度功率型高介电常数石榴石材料，属于微波铁氧体材料领域，其化学式组成为：BiaCabDycY3‑a‑b‑cFe5‑d‑e‑f‑g‑h‑δZrdVeSnfIngSbhO12，其中1.0≤a≤1.7，1≤b≤2，0≤c≤0.2，0≤d≤0.7，0≤e≤0.7，0≤f≤0.3，0≤g≤0.2，0≤h≤0.1，δ为缺铁量，本发明还公开了其制备方法，本发明的铁氧体材料的介电常数为25～26，且具有中饱和磁化强度、较低的铁磁共振线宽和一定的自旋波线宽，这些性能不仅可以有效降低器件的体积和损耗，还可以使器件承受更高的功率，可用于小型化功率型微波器件中，尤其适用于雷达、5G通信等领域。
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公开(公告)号：CN116813322A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310760683.X
申请日：2023-06-27
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于磁性材料领域，公开了一种高介电常数旋矩铁氧体材料及其制备方法，其化学式组成为：BiaCa0.45Y2.55‑a‑b‑cGdb(SnxZr1‑x)0.45(MnCe)cFe4.55‑cO12，其中0.8≤a≤1.0，0.7≤b≤1.2，0.05≤c≤0.1，0.1≤x≤0.9，通过氧化物固相反应法制备；采用适量的Bi3+取代，可将材料的介电常数由14提升至20以上；通过调控Gd3+含量，对剩磁进行调控，同时提升材料温度稳定性；Sn4+、Zr4+联合取代，并将联合体取代量设定为定值，将材料各向异性常数保持在较低值，降低损耗；采用Mn2+、Ce4+联合取代，提高材料剩磁稳定性，增加剩磁比。本发明的旋矩铁氧体材料具有介电常数高、剩磁比高、矫顽力低、电磁损耗小等特点，可满足铁氧体开关、移相器小型化对材料高介电常数、高剩磁比、低损耗的需求。
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公开(公告)号：CN115722983A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211381662.9
申请日：2022-11-07
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种解决陶瓷‑铁氧体复合基片抛光后表面出现台阶的方法，属于微波技术和精密加工领域，所述方法为先采用磨盘配合氧化铝研磨液对陶瓷‑铁氧体复合基片进行第一次加工，然后采用聚氨酯配合氧化铝抛光液对陶瓷‑铁氧体复合基片进行第二次加工，并采用与基片目标厚度一致的不锈钢游星轮作为夹具；本发明获得的基片各部分厚度一致性较好，能将厚度差降低至3μm以下，表面没有明显的台阶，且加工后的复合基片表面粗糙度小于15nm；采用此方案加工的基片，能够保证电路连续，不会在台阶处产生薄弱点，并且，基片表面更平整有利于在结构中的接触稳定性。
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公开(公告)号：CN115385679A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211052094.8
申请日：2022-08-30
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , H01F1/01
Abstract: 本发明公开了一种高剩磁比高矫顽力低铁磁共振线宽锶铁氧体材料及其制备方法，属于微波与磁性材料技术领域，其化学式为:LaxCaySr1‑x‑yFe12‑z‑f‑g‑δCozAlfMngO19，其中0.05≤x≤0.2，0.04≤y≤0.16，0.05≤z≤0.2，0.1≤f≤0.25，0.04≤g≤0.16，δ为缺铁量，0≤δ≤0.2，还公开了上述材料的制备方法；本发明的材料兼具高剩磁比、高矫顽力和低铁磁共振线宽特性，剩磁比＞0.92@1T，剩磁比＞0.88@2T，矫顽力＞4150 Oe，铁磁共振线宽＜451 Oe，并且兼具较好的永磁性能；饱和磁化强度4πMs＞4671 Gs，最大磁能积＞4.15 MGOe，各向异性常数K1＞3.86×106 erg/cm3；本发明的材料可用于设计自偏置环行器和隔离器，有效减小器件设计尺寸，满足器件平面化、小型化需求。
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公开(公告)号：CN119550154A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411965484.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种尖晶石铁氧体抛光方法，属于波导器件材料技术领域，所述方法为：使用高硬度聚氨酯抛光垫（A）配合白刚玉进行第一轮抛光；使用低硬度抛光垫（B）配合多晶钻石液进行第二轮抛光；本发明的抛光方法用于解决尖晶石铁氧体基片抛光后表面粗糙度大，表面质量差有橘皮，抛光后表面粗糙度不均匀等问题，极大提高基片的生产效率、产品一致性，有利于微波器件的稳定性和可靠性。
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