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公开(公告)号:CN117393981B
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311698496.X
申请日:2023-12-12
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种低频高功率高可靠双定向耦合器,属于耦合器技术领域,包括耦合器主腔体、中心导体和连接器外壳体,所述中心导体外周从内到外依次同心设置有内绝缘管、耦合铜片和外绝缘管,还设置有耦合PCB,所述耦合PCB的一端还固定连接有耦合腔体,所述耦合腔体的上端固定连接有连接器;所述中心导体与连接器外壳体之间还设置有中心导体防转机构;本发明能够实现50 kW级大功率在低频段100 kHz~5 MHz频率范围内‑70 dB~‑60 dB的耦合度,同时平坦度±0.5 dB,方向性≥28 dB,主路插损≤0.05 dB。
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公开(公告)号:CN117393981A
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202311698496.X
申请日:2023-12-12
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种低频高功率高可靠双定向耦合器,属于耦合器技术领域,包括耦合器主腔体、中心导体和连接器外壳体,所述中心导体外周从内到外依次同心设置有内绝缘管、耦合铜片和外绝缘管,还设置有耦合PCB,所述耦合PCB的一端还固定连接有耦合腔体,所述耦合腔体的上端固定连接有连接器;所述中心导体与连接器外壳体之间还设置有中心导体防转机构;本发明能够实现50 kW级大功率在低频段100 kHz~5 MHz频率范围内‑70 dB~‑60 dB的耦合度,同时平坦度±0.5 dB,方向性≥28 dB,主路插损≤0.05 dB。
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