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公开(公告)号：CN119826990A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411988244.5
申请日：2024-12-31
Applicant: 西南科技大学
IPC: G01K7/18
Abstract: 本发明公开了一种制备微纳尺度的铂电阻式温度传感器的方法，所述方法包括：步骤1：基底基于MCED技术，通过模糊PID控制算法对探针内的铂电极施加脉冲电压信号，基底通过导线与供电电源连接，在脉冲电压的作用下，基底与探针尖端接触区域进行铂金属沉积；步骤2：基于铂电阻的预定形状，通过G代码编写控制程序，对探针移动路径进行规划，控制探针移动，在基底上沉积出所需形状和尺寸的铂电阻；步骤3：对沉积出的铂电阻进行接线，完成铂电阻式温度传感器的制备。本发明提供一种制备微纳尺度的铂电阻式温度传感器的方法，在MCED方法的基础上，通过模糊PID控制和G代码制备铂金属的热电阻温度传感器，在大幅度降低成本的同时还可以实现大批量生产。
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