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公开(公告)号：CN103266354B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310229132.7
申请日：2013-06-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B30/02
Abstract: 本发明涉及一套获得单畴弛豫铁电单晶的极化方法，包括了针对于四方相、三方相及正交相铁电晶体的极化方法，其步骤是将晶体加热使之温度高于该晶体的居里温度后，在晶体上施加相应方向上的直流电场，之后在带场情况下使晶体缓慢降温至室温，即获得极化的四方相、三方相或正交相弛豫铁电单畴晶体。采用本发明所述方法可保证弛豫铁电单晶的高度单畴化，并且在极化后无晶体开裂现象，为单畴弛豫铁电单晶的应用起到了推进作用。
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公开(公告)号：CN103346253B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310228098.1
申请日：2013-06-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L41/187 , H01L41/39
Abstract: 本发明涉及一种铁电单晶/环氧2-2结构及应力板加固的2-2结构复合材料及其制备方法。2-2结构复合材料具有复合钙钛矿结构的Relaxor-PbTiO3铁电单晶和聚合物组成，利用切割-填充法得到的2-2复合材料中单晶片子的截面宽度为200μm-1mm，纵横比为2-5，截面宽度为200μm-1mm的单晶片与环氧树脂交替排列；应力板加固的2-2结构复合材料由2-2结构的复合材料上下两个电极面上分别用面板进行加固得到。具有阵列结构的2-2型及面板加强的有序复合压电材料可用于水声换能器中。
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公开(公告)号：CN103833417A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410001009.4
申请日：2014-01-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B41/80
Abstract: 本发明公开一种高频段无介电弥散的电子陶瓷材料的处理工艺，通过高温老化与低温老化两步法稳定锆钛酸铅陶瓷中的缺陷分布，使畴壁对交流电场的响应降到最低，以达到最佳频率稳定性的目的。采用本工艺处理的锆钛酸铅电子陶瓷材料在高频段其介电性能具有以下特点：在10MHz到200MHz频段间的介电常数实部稳定在420-422之间，虚部稳定在1-2之间，介电常数在该频段的变化率为0.476%，可以认为其在高频段不存在介电弥散。采用本发明工艺处理的电子陶瓷材料具有很好的介电性能稳定性，在近200MHz的带宽内性能稳定，可以作为潜在材料应用于高频电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103346253A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310228098.1
申请日：2013-06-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L41/187 , H01L41/39
Abstract: 本发明涉及一种铁电单晶/环氧2-2结构及应力板加固的2-2结构复合材料及其制备方法。2-2结构复合材料具有复合钙钛矿结构的Relaxor-PbTiO3铁电单晶和聚合物组成，利用切割-填充法得到的2-2复合材料中单晶片子的截面宽度为200μm-1mm，纵横比为2-5，截面宽度为200μm-1mm的单晶片与环氧树脂交替排列；应力板加固的2-2结构复合材料由2-2结构的复合材料上下两个电极面上分别用面板进行加固得到。具有阵列结构的2-2型及面板加强的有序复合压电材料可用于水声换能器中。
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公开(公告)号：CN109180181B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201811143060.3
申请日：2018-09-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种无铅弛豫反铁电陶瓷储能材料及其制备方法，化学式为(1‑x‑y)(Na0.5Bi0.5)TiO3–x(Sr0.7Bi0.2)TiO3–yMe2O3，其中，Me为La、Sm及Dy中的一种或两种，x及y表示摩尔分数，0.2≤x≤0.7，0.01≤y≤0.2，该材料具有储能密度较高、储能效率高及弛豫化特点，并且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN109180181A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811143060.3
申请日：2018-09-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种无铅弛豫反铁电陶瓷储能材料及其制备方法，化学式为(1-x-y)(Na0.5Bi0.5)TiO3–x(Sr0.7Bi0.2)TiO3–yMe2O3，其中，Me为La、Sm及Dy中的一种或两种，x及y表示摩尔分数，0.2≤x≤0.7，0.01≤y≤0.2，该材料具有储能密度较高、储能效率高及弛豫化特点，并且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN103833417B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410001009.4
申请日：2014-01-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B41/80
Abstract: 本发明公开一种高频段无介电弥散的电子陶瓷材料的处理工艺，通过高温老化与低温老化两步法稳定锆钛酸铅陶瓷中的缺陷分布，使畴壁对交流电场的响应降到最低，以达到最佳频率稳定性的目的。采用本工艺处理的锆钛酸铅电子陶瓷材料在高频段其介电性能具有以下特点：在10MHz到200MHz频段间的介电常数实部稳定在420-422之间，虚部稳定在1-2之间，介电常数在该频段的变化率为0.476%，可以认为其在高频段不存在介电弥散。采用本发明工艺处理的电子陶瓷材料具有很好的介电性能稳定性，在近200MHz的带宽内性能稳定，可以作为潜在材料应用于高频电子器件。
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公开(公告)号：CN103266354A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310229132.7
申请日：2013-06-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B30/02
Abstract: 本发明涉及一套获得单畴弛豫铁电单晶的极化方法，包括了针对于四方相、三方相及正交相铁电晶体的极化方法，其步骤是将晶体加热使之温度高于该晶体的居里温度后，在晶体上施加相应方向上的直流电场，之后在带场情况下使晶体缓慢降温至室温，即获得极化的四方相、三方相或正交相弛豫铁电单畴晶体。采用本发明所述方法可保证弛豫铁电单晶的高度单畴化，并且在极化后无晶体开裂现象，为单畴弛豫铁电单晶的应用起到了推进作用。
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