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公开(公告)号：CN113089032A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110322291.6
申请日：2021-03-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种微米级多孔铜箔及其制备方法与应用，对钛片进行预处理，然后将光刻胶均匀涂布在钛片上，将具有多孔矩阵形状的掩模版放置在钛片上进行光刻处理；然后对钛片进行显影处理；将显影处理后的钛片作为电镀阴极基底放入电镀液中进行电镀；再将铜箔从钛片上剥下；制得微米级多孔铜箔。本发明方法光刻的设备、电解的设备、条件简单，原材料易取，操作工艺简单，时间短，钛基底作为模板可重复使用，适宜大规模生产。
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