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公开(公告)号：CN117626402A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311714417.X
申请日：2023-12-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种可独立控制工位的多坩埚晶体生长炉及控制方法，包括晶体生长炉炉体，晶体生长炉炉体装配有整体联动升降装置，所述晶体生长炉炉体内设置有多个晶体生长工位，每个晶体生长工位装配有独立升降装置和能够联动控制或者独立控制的加热装置，晶体生长炉炉体的下炉板开设有多个隔热套管插入槽，晶体生长工位的两侧设有多个与隔热套管插入槽相配合的工位隔热装置。本发明可以在一台多坩埚晶体生长炉上实现即能多工位同时生长又能个别工位独立停炉控制的目的，同时可以避免晶体生长时受到升降电机的震动和丝杠爬升等机械干扰，保证晶体的稳定生长。
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公开(公告)号：CN111519034B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010335070.8
申请日：2020-04-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种弛豫铁电单晶生长用铂金坩埚的回收方法，包括表面清洗、冷酸浸泡、热酸煮、氢氧焰烧、高频感应熔炼等步骤，可以对经过弛豫铁电单晶生长后的受到轻度污染的铂金坩埚进行回收加工处理。经过冷酸与热酸配合的处理，可以有效清除铂金坩埚表面残留的单晶料；经过氢氧焰烧以及高频感应熔炼可以将进入到铂金坩埚内部的单晶杂质去除干净，最终获得较高纯的铂金料。本发明方法回收率高、铂金纯度高、加工性能好，使用本方法回收所得的铂金料加工的铂金坩埚在晶体生长过程中的漏埚率低。
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公开(公告)号：CN111394782B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010335062.3
申请日：2020-04-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置及方法，包括装配平台，装配平台的一侧设置有垂直支撑杆，垂直支撑杆上从下至上依次活动连接有第一水平支撑杆和第二水平支撑杆，第一水平支撑杆和第二水平支撑杆上均设置有刻度，第一水平支撑杆的端部通过引下管夹连接有引下管，第二水平支撑杆的端部通过铂金坩埚定位管夹连接有铂金坩埚定位管，所述铂金坩埚定位管下部穿插在引下管中，铂金坩埚定位管中活动连接有铂金坩埚。本发明可以有效避免因装炉误差所导致所生长的晶体取向偏差大的问题，从而可以提高晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN117626401A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311714262.X
申请日：2023-12-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种可生长多种尺寸晶体的晶体生长炉及控制方法，包括由下至上依次设置在低温区的炉口底板、低温区保温砖，高低温区隔板，设置在高温区的高温区保温砖、炉盖；其中，所述炉口底板靠近炉口侧设置有与晶体尺寸相匹配的炉口调节砖，所述高低温区隔板靠近晶体生长炉中心侧设置有与晶体尺寸相匹配的高低温区隔板调节砖，所述炉盖上通过与晶体尺寸相匹配的发热体固定组块装有发热体，所述发热体置于高温区内。本发明实现了在同一晶体生长炉内生长不同尺寸的晶体，提高了晶体生长炉生长晶体的适应性，避免了出现传统大尺寸晶体生长炉生长小尺寸晶体时出现的生长温度梯度低、耗电大的情况。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110923802B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201911348765.3
申请日：2019-12-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种工位可独立控制的多坩埚晶体生长炉及控制方法，包括单独升降装置和联动升降装置，单独升降装置和联动升降装置上分别连接有单独支撑板和联动支撑架，且单独支撑板位于联动支撑架下侧，联动支撑架上均匀设置有若干工位孔，工位孔中设置有坩埚引下装置，联动支撑架上还设置有能够将坩埚引下装置支撑在工位孔中的坩埚支撑架，坩埚引下装置上部穿插设置在炉体中，炉体的底部设置有供坩埚引下装置穿过的炉口，坩埚引下装置内部设置有坩埚，外侧套设有均温管，均温管外侧套设有环形发热体，环形发热体通过温控系统进行联动控制或单独控制，还包括能够将坩埚引下装置在炉体中的空间进行隔离的工位隔热装置。
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公开(公告)号：CN111900247A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010568602.2
申请日：2020-06-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L41/37 , H01L41/338 , H01L41/297
Abstract: 本发明公开一种压电复合材料的制备方法及其应用，制备方法为步骤一，设计3D打印曲面网格模具，并打印制备成型；步骤二，将块状压电相切割成若干压电小柱；步骤三，将压电小柱插入进3D打印模具空格中；步骤四，用环氧树脂等非压电相对压电小柱与3D打印模具的空隙进行填充和固化成型：步骤五，对制成样品进行打磨、抛光，超声清洗后，对样品进行被覆电极操作得到曲面压电复合材料，本发明能够制备曲面压电复合材料，其优点在于很好的克服了传统制备曲面复合材料工艺繁杂、成型困难的缺点，能够实现大曲率、大面积、曲面压电复合材料的制备。
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公开(公告)号：CN110923802A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911348765.3
申请日：2019-12-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种工位可独立控制的多坩埚晶体生长炉及控制方法，包括单独升降装置和联动升降装置，单独升降装置和联动升降装置上分别连接有单独支撑板和联动支撑架，且单独支撑板位于联动支撑架下侧，联动支撑架上均匀设置有若干工位孔，工位孔中设置有坩埚引下装置，联动支撑架上还设置有能够将坩埚引下装置支撑在工位孔中的坩埚支撑架，坩埚引下装置上部穿插设置在炉体中，炉体的底部设置有供坩埚引下装置穿过的炉口，坩埚引下装置内部设置有坩埚，外侧套设有均温管，均温管外侧套设有环形发热体，环形发热体通过温控系统进行联动控制或单独控制，还包括能够将坩埚引下装置在炉体中的空间进行隔离的工位隔热装置。
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公开(公告)号：CN117383817B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202311401660.6
申请日：2023-10-26
Applicant: 西安交通大学 , 苏州思萃电子功能材料技术研究所有限公司
IPC: C03B37/027 , C03C10/00 , G02F1/355
Abstract: 一种PIN‑PMN‑PT铁电微晶玻璃复合光纤、制备及应用，复合光纤包层材料为石英玻璃，纤芯材料为微晶玻璃；制备时先将PIN‑PMN‑PT铁电陶瓷粉体和原料SiO2粉体混合均匀，熔融、淬冷、热处理获得微晶玻璃，再加工成纤芯玻璃细棒；然后用氢氧焰配合石英细棒封好玻璃管中心孔的一端，将纤芯微晶玻璃细棒填充到玻璃管中心孔中，再用氢氧焰配合石英细棒封好玻璃管中心孔的另一端，形成光纤预制棒；最后将组装好的光纤预制棒放在石墨炉拉丝塔内拉丝，拉丝过程中拉丝炉内通氩气保护，获得连续的玻璃包层微晶玻璃光纤；复合光纤适用于非线性光学各类器件中全光纤波导的单模传输，或光纤器件制备；本发明实现均质、高透光、大批量的铁电微晶玻璃光纤制备。
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