公开(公告)号：CN110010596B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201910244636.3

申请日：2019-03-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  赵成 ,  杨奉涛 ,  齐志远 ,  王见鹏 ,  牛之朝 ,  陈阳

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联功率模块用封装结构，包括主体DBC基板和驱动电阻DBC基板，驱动电阻DBC基板设置在主体DBC基板上，主体DBC基板的底面铜层中开有用于调整芯片等效热阻的矩形区域。功率模块的拓扑结构为半桥结构，包括上桥臂和下桥臂，上桥臂和下桥臂的开关位置处分别由多个碳化硅裸片并联构成，并联碳化硅裸片共用一个驱动，且每个碳化硅裸片的栅极上均串联一个驱动电阻。本发明适用于一切由于芯片分布位置、DBC布局以及散热条件不完全对称导致的芯片等效热阻不均衡和结温差异，同时实现了驱动电阻的集成，提高了驱动的稳定性。

公开(公告)号：CN110012590B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201910244632.5

申请日：2019-03-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  齐志远 ,  侯震鹏 ,  卢晓辉 ,  王康平 ,  裴云庆 ,  陈阳 ,  赵成 ,  杨奉涛 ,  王见鹏 ,  牛之朝

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明公开了一种基于PCB嵌入工艺的全桥集成模块，包括设置在PCB嵌入模块上的全桥功率电路、高频解耦电容、驱动电路、功率器件以及散热器，功率器件为氮化镓器件或碳化硅器件，氮化镓器件或碳化硅器件分别包括四个，通过串并联连接组成全桥电路，全桥电路连接高频解耦电容和驱动电路，与散热器连接构成嵌入式全桥集成模块。本发明极大的减小了寄生电感，可以推进宽禁带器件的高频化运行，有助于系统功率密度的提升。

公开(公告)号：CN110010596A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910244636.3

申请日：2019-03-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  赵成 ,  杨奉涛 ,  齐志远 ,  王见鹏 ,  牛之朝 ,  陈阳

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联功率模块用封装结构，包括主体DBC基板和驱动电阻DBC基板，驱动电阻DBC基板设置在主体DBC基板上，主体DBC基板的底面铜层中开有用于调整芯片等效热阻的矩形区域。功率模块的拓扑结构为半桥结构，包括上桥臂和下桥臂，上桥臂和下桥臂的开关位置处分别由多个碳化硅裸片并联构成，并联碳化硅裸片共用一个驱动，且每个碳化硅裸片的栅极上均串联一个驱动电阻。本发明适用于一切由于芯片分布位置、DBC布局以及散热条件不完全对称导致的芯片等效热阻不均衡和结温差异，同时实现了驱动电阻的集成，提高了驱动的稳定性。

公开(公告)号：CN110012590A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910244632.5

申请日：2019-03-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  齐志远 ,  侯震鹏 ,  卢晓辉 ,  王康平 ,  裴云庆 ,  陈阳 ,  赵成 ,  杨奉涛 ,  王见鹏 ,  牛之朝

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明公开了一种基于PCB嵌入工艺的全桥集成模块，包括设置在PCB嵌入模块上的全桥功率电路、高频解耦电容、驱动电路、功率器件以及散热器，功率器件为氮化镓器件或碳化硅器件，氮化镓器件或碳化硅器件分别包括四个，通过串并联连接组成全桥电路，全桥电路连接高频解耦电容和驱动电路，与散热器连接构成嵌入式全桥集成模块。本发明极大的减小了寄生电感，可以推进宽禁带器件的高频化运行，有助于系统功率密度的提升。