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公开(公告)号：CN113380738A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110514315.8
申请日：2021-05-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/488 , H05K1/02
Abstract: 本发明公开了一种直接集成相变散热的碳化硅功率模块封装结构，包括上桥臂、下桥臂、底部基板、外壳、功率基板、驱动PCB板系统及相变散热装置，其中，外壳扣合并固定于底部基板上，功率基板固定于底部基板上，相变散热装置固定于功率基板上，上桥臂、下桥臂及驱动PCB板系统均固定于相变散热装置上，该结构能够大幅度降低芯片的结温以及结温波动。
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公开(公告)号：CN113380738B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110514315.8
申请日：2021-05-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/488 , H05K1/02
Abstract: 本发明公开了一种直接集成相变散热的碳化硅功率模块封装结构，包括上桥臂、下桥臂、底部基板、外壳、功率基板、驱动PCB板系统及相变散热装置，其中，外壳扣合并固定于底部基板上，功率基板固定于底部基板上，相变散热装置固定于功率基板上，上桥臂、下桥臂及驱动PCB板系统均固定于相变散热装置上，该结构能够大幅度降低芯片的结温以及结温波动。
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公开(公告)号：CN115441770A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211058263.9
申请日：2022-08-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02N11/00 , G01R31/26 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种基于废热利用的功率半导体模块在线监测装置，导热铜基板的两端分别开设有第一凹槽及第二凹槽，其中，第一凹槽内设置有第一废热回收装置，第二凹槽内设置有第二废热回收装置，第一废热回收装置包括自上到下依次分布的第一热面陶瓷基板、第一环氧树脂封装的温差发电半导体及第一冷面陶瓷基板；第二废热回收装置包括自上到下依次分布的第二热面陶瓷基板、第二环氧树脂封装的温差发电半导体及第二冷面陶瓷基板组成；第一环氧树脂封装的温差发电半导体及第二环氧树脂封装的温差发电半导体通过导线与PCB板中的调理电路相连接，该装置具有成本低且断电时能够记录瞬间信息的特点。
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公开(公告)号：CN114123812A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111275399.0
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于逆导IGBT的MMC钳位双子模块，信号输入端与第一RC‑IGBT1的一端及第二RC‑IGBT的一端相连接，第一RC‑IGBT的另一端与第一电容的一端及第一单二极管模块的负极相连接，第一单二极管模块的正极与RC‑IGBT连接器件的一端、第二电容的一端及第三RC‑IGBT的一端相连接，第三RC‑IGBT的另一端与第四RC‑IGBT的一端及信号输出端相连接，第四RC‑IGBT的另一端及第二电容的另一端与第二单二极管模块的正极相连接，第二单二极管模块的负极与第二RC‑IGBT的另一端、第一电容的另一端及RC‑IGBT连接器件的另一端相连接，该模块的可靠性较高。
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公开(公告)号：CN114267668A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111584739.8
申请日：2021-12-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种基于均热板的SiC‑MMC子模块，包括均热板、功率基板、驱动基板、驱动端子、功率端子以及SiC芯片，其中，功率基板及驱动基板均焊接于均热板上，功率端子及SiC芯片焊接于功率基板上，驱动端子焊接于驱动基板上，该模块的热性能优异，可靠性较高。
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