公开(公告)号：CN119833507A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411973242.9

申请日：2024-12-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  张彤宇 ,  苗昱 ,  赵明智 ,  杨奉涛 ,  裴云庆 ,  张虹 ,  甘永梅 ,  杨旭

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L23/64 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明公开了一种低电感碳化硅功率模块与换流回路结构，包括大面积的电流规划互连结构与极短路径的端子直连电容结构，通过大面积的电流规划互连结构与陶瓷基板的导电线路之间的互感大幅降低碳化硅功率模块内部的寄生电感，同时利用端子直连电容结构，缩短了从功率模块内部端子引出位置到达外部电容的路径长度，降低了碳化硅功率模块外部连接电路的寄生电感，从而降低了整个换流回路的寄生电感，抑制了开关电压过冲与震荡，降低了工作损耗。