一种钛酸铋钠基<111>取向多层陶瓷电容器及制备方法

    公开(公告)号:CN119400592A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411584319.3

    申请日:2024-11-07

    Abstract: 本发明公开一种钛酸铋钠基 取向多层陶瓷电容器及制备方法,属于多层陶瓷电容器制备技术领域,本发明中的制备方法包括低速球磨分散模板、流延法制备单层陶瓷生坯、丝网印刷插指电极、温水等静压叠层、高温烧结、涂刷端电极,低速球磨可以保证模板不碎裂的前提下使模板均匀分散于陶瓷浆料中;长时间烧结保温可以使添加了模板的生坯块体的晶粒延特定晶体学方向定向生长;在该方法制备的钛酸铋钠基织构多层陶瓷电容器,稳定工作条件下的耐电压值可达840 kV/cm,储能密度>15 J/cm3、储能效率>90%,与钛酸铋钠基多层陶瓷电容器相比,陶瓷晶粒取向延 晶体学方向排列,其可施加电场得到明显增大,并且在高外加电场下可以实现更优异的脉冲储能性能。

    一种用于压电陶瓷风扇的压电陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN119591400A

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202411033962.7

    申请日:2024-07-30

    Inventor: 李景雷 李学鑫

    Abstract: 本发明公开了一种用于压电陶瓷风扇的压电陶瓷及其制备方法,该陶瓷材料的化学式为m%Me2O3‑(1‑x‑y‑z)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPb(Zn1/2Nb2/3)O3‑yPbTiO3‑zPbZrO3,其中,Me为Pr、Ho、Eu、Dy、Nd、Yb、La、Sm、Y、Er、Lu中任意一种或两种,m%指Me2O3占(1‑x‑y‑z)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPb(Zn1/2Nb2/3)O3‑yPbTiO3‑zPbZrO3的摩尔百分比,0.05≤x≤0.8,0.05≤y≤0.8,0.05≤z≤0.8,0.01≤m≤5.0。在制备所述时,采用分步合成,两歩烧结,可调控成分梯度与比例,获得的陶瓷晶粒细小均匀,致密度高,本发明在多相压电陶瓷基体中掺入Me2O3稀土元素,获得了‑60~120℃范围内表现出良好的温度稳定性和高压电系数,该d33不低于1695pC/N。在压电陶瓷风扇领域有着重要的应用,除此之外还有望在精密定位系统、医疗成像设备、传感器与执行器、能量收集与转换、消费电子产品以及无人机和微型飞行器控制领域得到广泛应用。

    一种[111]取向钛酸钡钙无铅压电织构陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN116253563B

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202310130880.3

    申请日:2023-02-17

    Abstract: 本发明公开了一种[111]取向钛酸钡钙无铅压电织构陶瓷及其制备方法,包括以下步骤:制备[111]取向片状BaTiO3模板;制备钛酸钡钙基体粉体;取钛酸钡钙基体粉体与片状模板、有机溶剂、粘结剂、分散剂、增塑剂混合球磨,制备成混合浆料;其中,有机溶剂、粘结剂、分散剂、增塑剂、片状模板分别占基体粉体总质量的50~70%、3.2~10%、1.5~4.5%、1.5~4.5%、2~30%;将混合浆料经流延、裁片叠压、排胶、等静压、烧结、被银、极化后得到[111]取向钛酸钡钙无铅压电织构陶瓷;以[111]取向片状BaTiO3模板为定向模板,晶粒尺寸可调控范围大;以此模板制备的钛酸钡钙基无铅陶瓷晶粒沿[111]高度择优取向,[111]织构度高达97%、压电常数d15高达673pC/N。

    一种[111]取向钛酸钡钙无铅压电织构陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN116253563A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310130880.3

    申请日:2023-02-17

    Abstract: 本发明公开了一种[111]取向钛酸钡钙无铅压电织构陶瓷及其制备方法,包括以下步骤:制备[111]取向片状BaTiO3模板;制备钛酸钡钙基体粉体;取钛酸钡钙基体粉体与片状模板、有机溶剂、粘结剂、分散剂、增塑剂混合球磨,制备成混合浆料;其中,有机溶剂、粘结剂、分散剂、增塑剂、片状模板分别占基体粉体总质量的50~70%、3.2~10%、1.5~4.5%、1.5~4.5%、2~30%;将混合浆料经流延、裁片叠压、排胶、等静压、烧结、被银、极化后得到[111]取向钛酸钡钙无铅压电织构陶瓷;以[111]取向片状BaTiO3模板为定向模板,晶粒尺寸可调控范围大;以此模板制备的钛酸钡钙基无铅陶瓷晶粒沿[111]高度择优取向,[111]织构度高达97%、压电常数d15高达673pC/N。

Patent Agency Ranking