公开(公告)号：CN101969104B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010286694.1

申请日：2010-09-20

Applicant: 西安交通大学 ,  西安瑞特快速制造工程研究有限公司

Inventor： 王莉 ,  丁玉成 ,  原俊文 ,  罗钰 ,  何众贇 ,  邝俊生

IPC: H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种具有亚微米结构的OLED制造工艺，包括下述步骤：(a)制备二氧化硅薄膜：通过磁控溅射在玻璃基片上覆上一层二氧化硅薄膜；(b)二氧化硅图形化：在步骤(a)所述的二氧化硅薄膜上制作纳米图形结构；(c)制作OLED结构阳极：在二氧化硅上均匀旋涂一层ITO导电溶胶，使其作为此OLED结构阳极；(d)在阳极上依次蒸镀空穴输运层，蒸镀发光层及电子输运层，最后蒸镀阴极。本发明的OLED制造工艺，容易便制作出适用于OLED器件的高精度的亚微米级结构，解决了OLED的玻璃上不易图形化的难题，使得导电透明ITO薄膜成膜更为均匀，ITO电极良品率高、出光率高。

公开(公告)号：CN101969104A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201010286694.1

申请日：2010-09-20

Applicant: 西安交通大学 ,  西安瑞特快速制造工程研究有限公司

Inventor： 王莉 ,  丁玉成 ,  原俊文 ,  罗钰 ,  何众贇 ,  邝俊生

IPC: H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种具有亚微米结构的OLED制造工艺，包括下述步骤：(a)制备二氧化硅薄膜：通过磁控溅射在玻璃基片上覆上一层二氧化硅薄膜；(b)二氧化硅图形化：在步骤(a)所述的二氧化硅薄膜上制作纳米图形结构；(c)制作OLED结构阳极：在二氧化硅上均匀旋涂一层ITO导电溶胶，使其作为此OLED结构阳极；(d)在阳极上依次蒸镀空穴输运层，蒸镀发光层及电子输运层，最后蒸镀阴极。本发明的OLED制造工艺，容易便制作出适用于OLED器件的高精度的亚微米级结构，解决了OLED的玻璃上不易图形化的难题，使得导电透明ITO薄膜成膜更为均匀，ITO电极良品率高、出光率高。

公开(公告)号：CN202041221U

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201120051859.7

申请日：2011-03-02

Applicant: 西安交通大学 ,  西安瑞特快速制造工程研究有限公司

Inventor： 刘新正 ,  李予全 ,  邱德锋 ,  梁得亮 ,  邝俊生

IPC: G01D5/26

Abstract: 本实用新型涉及一种正余弦编码器细分装置，其中正余弦模数转换模块、整形比较方波产生模块分别与差分信号接收放大模块连接；电平转换模块与整形比较方波产生模块连接；区间细分计数模块、转向判断模块分别与电平转换模块连接；偏差分离计算模块与正余弦模数转换模块连接；角度计算模块与区间细分计数模块、转向判断模块、正余弦模数转换模块、偏差分离计算模块连接。