公开(公告)号：CN118792537A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410819353.8

申请日：2024-06-24

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 张志伟 ,  刘皓天 ,  庞一航 ,  石浩 ,  曹飞 ,  姜伊辉 ,  邹军涛 ,  梁淑华

IPC: C22C1/10 ,  C22C1/03 ,  C22C32/00 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  F27B14/10 ,  F27B14/04 ,  H01B1/02

Abstract: 本发明公开了高导电高耐磨二硼化钛/铜硼复合材料的短流程制备方法，按复合材料中二硼化钛的质量百分比为1～5wt.％，硼的质量百分比为0.5～1.5wt.％，称取70.0～90.2wt.％无氧铜块A、5.0～15.3wt.％镁和4.8～14.7wt.％氧化硼放入双腔坩埚左侧内腔中，以上各组分的质量百分比之和为100％，称取93.1～98.6wt.％无氧铜块B和1.4～6.9wt.％钛粒放入双腔坩埚右侧内腔中，以上各组分的质量百分比之和为100％，在真空感应炉中进行熔炼，浇铸入水冷铜模中，最后进行形变热处理；该制备方法解决了现有复合铸造法制备的二硼化钛/铜复合材料中比重偏析、Ti反应不充分的问题。