-
公开(公告)号：CN116679792A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310877167.5
申请日：2023-07-18
Applicant: 无锡盛景微电子股份有限公司 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种低功耗带隙基准电路、芯片及参考电压的生成方法，解决现有带隙基准需要使用运算放大器、电阻及功耗高的问题，包括相连接的：正温度系数模块包括第一、第二晶体管和第一MOS管，第一、第二晶体管的基极‑发射极电压之差在第一MOS管上产生正温度系数电压；钳位模块包括第一、第二钳位MOS管，钳位模块用于提供相等的第一钳位电压与第二钳位电压；负温度系数模块包括第一MOS管和第二MOS管，第一、第二MOS管的阈值电压作为负温度系数电压；电流镜模块将第一晶体管所在支路的电流按比例复制到负温度系数模块所在支路及第二晶体管所在支路，负温度系数电压与正温度系数电压相加作为参考电压。
-
公开(公告)号：CN118761427A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410681810.1
申请日：2024-05-29
Applicant: 西安电子科技大学 , 无锡盛景微电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供了基于污染源扩散理论的低可靠性芯片识别方法及装置。其中，包括：获取待识别芯片以及污染芯片；根据待识别芯片与污染芯片的位置信息以及预设污染范围，从模型数据库中查找污染芯片对应的权重系数和污染系数；模型数据库包括：第一数据库和第二数据库，第一数据库用于存储相关位置信息，第二数据库用于存储相关权重系数和相关污染系数；利用权重系数和污染系数计算污染程度值；将污染程度值代入转换函数，获取待识别芯片的早期失效概率；基于预设筛选阈值和早期失效概率对待识别芯片进行可靠性判断，获取识别结果；第二数据库和转换函数均基于优化遗传算法优化训练得到。提高了低可靠性芯片识别的稳定性和准确性，降低了良品损失。
-
公开(公告)号：CN113378499B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202110698982.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 无锡盛景微电子股份有限公司
IPC: G06F30/3312 , H03K19/094
Abstract: 本发明提供一种应用于集成电路中的熔丝修调电路及设备，熔丝修调电路包括m个熔丝组和与其对应的m个输出线，m个熔丝组中的任意一个熔丝组至少包括一个熔丝，m个熔丝组中的任意一个熔丝组中的每个熔丝与m个输出线中的对应一个输出线连接；m个熔丝组中的每个熔丝组中的熔丝的数量最大值为n；还具有与最大值n对应的n个页选择寄存器，m个熔丝组中的每个熔丝组中的熔丝均连接不同的一个页选择寄存器；熔丝电路中的m个输出线中的每个输出线均连接一个位选单元；每个位选单元均连接一个偏置结构；熔丝电路中的每个页选择寄存器均连接一个字选单元。本发明不需要增加额外复杂的工艺版次，也有效的减少了面积的需求，直接读出修调的参数值。
-
公开(公告)号：CN113739653A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111090240.1
申请日：2021-09-17
Applicant: 无锡盛景微电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种换能器的控制电路及设备，包括：换能器；第一驱动开关，所述第一驱动开关的第一连接端连接所述换能器的一端；第二驱动开关，所述第二驱动开关的第一连接端连接所述第一驱动开关的第二连接端；驱动电源，所述驱动电源的一端连接所述换能器的另一端，另一端连接所述第二驱动开关的第二连接端，所述驱动电源的驱动端连接第一驱动开关和第二驱动开关的第三连接端。本发明可有效提升使用该控制电路的电子雷管在生产、检测以及操作时的安全性。
-
公开(公告)号：CN114462004B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210118993.7
申请日：2022-02-08
Applicant: 无锡盛景微电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种在主从网络中自动检测下位机身份信息的方法、系统、装置以及存储介质，其可以在未知下位机的身份信息的情况下，获得下位机的身份信息，易于实施而且检测效率高，包括步骤：上位机发送检测信号，检测信号包括自动检测指令和身份验证指令；响应于上位机发送的检测信号，响应于身份验证指令的逐步执行，下位机对应逐位检测自身的身份信息码是否与身份验证指令相匹配；若匹配则进行应答，否则不进行应答等待下一次的检测信号；上位机检测是否有下位机的应答，若检测到应答，则立即跳转执行下一阶段的身份验证指令，下位机响应于身份验证指令的跳转，对应检测下一位的身份信息码；上位机根据下位机的应答，输出下位机的身份信息码。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114508974A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011354738.X
申请日：2020-11-27
Applicant: 无锡盛景微电子股份有限公司
Abstract: 本发明采用低功耗，抗爆轰振动冲击和抗电磁干扰方案，设计了一款高安全，高可靠，抗振性能好，可适用于小断面爆破环境的数码电子雷管延期控制装置，模块电路中设置保护电路与芯片引脚进行相连，有效避免了电子雷管在爆破过程中因爆破冲击和挤压将电子雷管延期模块损坏，从而不会造成拒爆的现象。所述芯片属于自主研发，具有高安全、高可靠、低功耗、全国产等特点，主要包括信号接收模块，数据发送模块，指令译码模块，存储模块，延时计数器，时钟电路，输出驱动模块，本发明通过加强模块芯片和电路抗冲击设计，解决了数码电子雷管在小断面应用时难以回避的拒爆问题，并在小断面矿山中实际使用，为电子雷管未来全面代替传统雷管奠定了基础。
-
公开(公告)号：CN117348667A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311467347.2
申请日：2023-11-07
Applicant: 无锡盛景微电子股份有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供了一种负载切换瞬态增强的超低静态功耗LDO电路、工作方法，其可提高LDO输出电压的建立速度，具有较好的稳定性与瞬态响应能力；其包括主路模块，所述主路模块包括误差放大级，所述误差放大级的输出节点端连接有泄放模块、瞬态增强模块；其中，所述泄放模块，用于在所述误差放大级输出节点的电压小于设定阈值时，进行过充电荷泄放；所述瞬态增强模块，用于当负载电流突变时，对所述误差放大级的输出节点端进行充电或放电，维持所述误差放大级输出电压稳定。
-
公开(公告)号：CN116954296A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311018573.2
申请日：2023-08-14
Applicant: 无锡盛景微电子股份有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供了一种低功耗的自偏置二阶补偿带隙基准电路，其可实现电路的精简与低功耗需求；包括：基准电压输出模块，用于提供直流偏置，输出基准电压；输出补偿模块，与所述基准电压输出模块连接，用于实现输出基准电压的二阶补偿；两级运放模块，具有密勒补偿，与所述基准电压输出模块连接，用于实现正温度系数电压的钳位及环路补偿；启动模块，与所述两级运放模块连接，用于保证所述带隙基准电路启动正常。
-
公开(公告)号：CN113378499A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110698982.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 无锡盛景微电子股份有限公司
IPC: G06F30/3312 , H03K19/094
Abstract: 本发明提供一种熔丝修调电路及设备所述熔丝修调电路包括m个熔丝组和与m个熔丝组对应的m个输出线，m个熔丝组中的任意一个熔丝组至少包括一个熔丝，m个熔丝组中的任意一个熔丝组中的每个熔丝与m个输出线中的对应一个输出线连接；m个熔丝组中的每个熔丝组中的熔丝的数量最大值为n；熔丝修调电路还具有与最大值n对应的n个页选择寄存器，m个熔丝组中的每个熔丝组中的熔丝均连接不同的一个页选择寄存器；熔丝电路中的m个输出线中的每个输出线均连接一个位选单元；每个位选单元均连接一个偏置结构；熔丝电路中的每个页选择寄存器均连接一个字选单元。本发明不需要增加额外复杂的工艺版次，也有效的减少了面积的需求，直接读出修调的参数值。
-
公开(公告)号：CN116839434A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202311036367.4
申请日：2023-08-17
Applicant: 无锡盛景微电子股份有限公司
IPC: F42C21/00
Abstract: 本发明提供了一种用于电子雷管的电容电压值的检测系统及方法，解决电子雷管中雷管模块中电容本身异常，如电容异常漏电等问题引起工作电压和起爆电压不足而导致拒爆和迟爆的问题，控制器模块通过控制可控开关的开关来调节所述采样电阻单元的电阻值，使得输入比较器的第一输入端的电压对应变化，当输入比较器的第一输入端的电压与基准电压的比值发生变化时，比较器的输出电平信号发生翻转，控制器模块根据比较器的输出电平信号发生翻转前后采样电阻单元的电阻值，计算待测电容电压值所在的范围区间，控制器模块比较得到的待测电容电压值所在的范围区间与设计值，判断待测电容是否正常工作，提高了电子雷管使用的可靠性和安全性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.053 seconds)
