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公开(公告)号：CN104111688A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410200294.2
申请日：2014-05-13
Applicant: 西安电子科技大学昆山创新研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/569
Abstract: 本发明提供一种具有温度监测功能的BiCMOS无运放带隙电压基准源。所述BiCMOS无运放带隙电压基准源，包括：基准产生模块(10)、与基准产生模块(10)连接的偏置产生模块(20)、与偏置产生模块(20)连接的温度保护模块(40)、与温度保护模块(40)连接的启动电路(30)、与偏置产生模块(20)、启动电路(30)和温度保护模块(40)均连接的负反馈嵌位电路(50)；其中，基准产生模块生成基准电压；偏置产生模块产生第一偏置电压并辅助基准产生模块进行电压嵌位；温度保护模块通过第一偏置电压输出温度保护信号；启动电路通过温度保护模块生成的启动使能信号，生成干扰电流，使电路进入正常工作状态；负反馈嵌位电路用于稳定基准电压和第一偏置电压。
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公开(公告)号：CN104111688B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410200294.2
申请日：2014-05-13
Applicant: 西安电子科技大学昆山创新研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/569
Abstract: 本发明提供一种具有温度监测功能的BiCMOS无运放带隙电压基准源。所述BiCMOS无运放带隙电压基准源，包括：基准产生模块(10)、与基准产生模块(10)连接的偏置产生模块(20)、与偏置产生模块(20)连接的温度保护模块(40)、与温度保护模块(40)连接的启动电路(30)、与偏置产生模块(20)、启动电路(30)和温度保护模块(40)均连接的负反馈嵌位电路(50)；其中，基准产生模块生成基准电压；偏置产生模块产生第一偏置电压并辅助基准产生模块进行电压嵌位；温度保护模块通过第一偏置电压输出温度保护信号；启动电路通过温度保护模块生成的启动使能信号，生成干扰电流，使电路进入正常工作状态；负反馈嵌位电路用于稳定基准电压和第一偏置电压。
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公开(公告)号：CN104111690B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410317681.4
申请日：2014-07-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/67
Abstract: 本发明提供一种功率开关衬底选择的最高电压跟踪电路，包括：偏置电路、与所述偏置电路连接的源极输入比较器、与所述源极输入比较器连接的正反馈输出环路；其中，所述偏置电路为所述源极输入比较器提供偏置电流，所述源极输入比较器为所述正反馈输出环路提供输入电压。本发明实施例的一种功率开关衬底选择的最高电压跟踪电路，在保证DC-DC转换器性能的条件下快速跟踪整体电路中的最高电压，为PMOS功率开关提供最佳的衬底偏置，从而减小衬偏和闩锁效应，提高DC-DC转换效率，非常适用于高性能集成DC-DC开关转换器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105515364B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610064990.4
申请日：2016-01-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M1/36
Abstract: 本发明涉及一种应用于Boost转换器的近阈值电压自启动电路，其包括低压振荡器Ⅰ、低压振荡器Ⅱ、VIN倍压电路、低压比较器、VOUT检测电路，时钟倍压电路、辅助启动管N1_S和辅助启动管N2_S，低压振荡器Ⅰ的输出端与时钟倍压电路的输入端相连；低压振荡器Ⅱ的输出端分别与VIN倍压电路的输入端、低压比较器的输入端相连；时钟倍压电路的输入端和低压振荡器Ⅰ的输出端相连，时钟倍压电路的输出端连接到辅助启动管N1_S的栅极；VIN倍压电路的输入端连接到低压振荡器Ⅱ的输出端，VIN倍压电路的输出端连接到辅助启动管N2_S的栅极。
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公开(公告)号：CN104135149B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201410401063.8
申请日：2014-08-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M3/00
Abstract: 本发明提供一种可选择的误差放大器和电压比较器复用电路，包括：偏置电压产生电路、输入级负载电路、误差放大器输出电路和电压比较器输出电路，偏置电压产生电路为输入级负载电路提供偏置电压；输入级负载电路的输出端分别与误差放大器输出电路和电压比较器输出电路连接，通过一控制信号选通所述误差放大器输出电路和所述电压比较器输出电路的其中一路。该复用电路通过一控制信号实现电路功能的选择，输入级负载电路与误差放大器输出电路构成了误差放大器结构；控制信号为低电平时，输入级负载电路与电压比较器输出电路构成了比较器结构；将该复用电路应用于多模型调制型DC‑DC转换器电路中，解决了转换器电路中芯片面积和转换效率存在矛盾的问题。
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公开(公告)号：CN104135149A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410401063.8
申请日：2014-08-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M3/00
Abstract: 本发明提供一种可选择的误差放大器和电压比较器复用电路，包括：偏置电压产生电路、输入级负载电路、误差放大器输出电路和电压比较器输出电路，偏置电压产生电路为输入级负载电路提供偏置电压；输入级负载电路的输出端分别与误差放大器输出电路和电压比较器输出电路连接，通过一控制信号选通所述误差放大器输出电路和所述电压比较器输出电路的其中一路。该复用电路通过一控制信号实现电路功能的选择，输入级负载电路与误差放大器输出电路构成了误差放大器结构；控制信号为低电平时，输入级负载电路与电压比较器输出电路构成了比较器结构；将该复用电路应用于多模型调制型DC-DC转换器电路中，解决了转换器电路中芯片面积和转换效率存在矛盾的问题。
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公开(公告)号：CN104111690A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410317681.4
申请日：2014-07-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/67
Abstract: 本发明提供一种功率开关衬底选择的最高电压跟踪电路，包括：偏置电路、与所述偏置电路连接的源极输入比较器、与所述源极输入比较器连接的正反馈输出环路；其中，所述偏置电路为所述源极输入比较器提供偏置电流，所述源极输入比较器为所述正反馈输出环路提供输入电压。本发明实施例的一种功率开关衬底选择的最高电压跟踪电路，在保证DC-DC转换器性能的条件下快速跟踪整体电路中的最高电压，为PMOS功率开关提供最佳的衬底偏置，从而减小衬偏和闩锁效应，提高DC-DC转换效率，非常适用于高性能集成DC-DC开关转换器。
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公开(公告)号：CN105515364A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610064990.4
申请日：2016-01-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M1/36
CPC classification number: H02M1/36
Abstract: 本发明涉及一种应用于Boost转换器的近阈值电压自启动电路，其包括低压振荡器Ⅰ、低压振荡器Ⅱ、VIN倍压电路、低压比较器、VOUT检测电路、时钟倍压电路、辅助启动管N1_S和辅助启动管N2_S，低压振荡器Ⅰ的输出端与时钟倍压电路的输入端相连；低压振荡器Ⅱ的输出端分别与VIN倍压电路的输入端、低压比较器的输入端相连；时钟倍压电路的输入端和低压振荡器Ⅰ的输出端相连，时钟倍压电路的输出端连接到辅助启动管N1_S的栅极；VIN倍压电路的输入端连接到低压振荡器Ⅱ的输出端，VIN倍压电路的输出端连接到辅助启动管N2_S的栅极。
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