公开(公告)号：CN115424940A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211026540.8

申请日：2022-08-25

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 常晶晶 ,  袁海东 ,  苏杰 ,  林珍华 ,  高香香 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/46 ,  H01L21/02 ,  C01B32/194

Abstract: 一种表面P型氧化镓的制备方法，在衬底上生长氧化镓层，然后通过表面功能化生长制备单层极性氢氟化石墨烯，最后采用转印聚合物对极性氢氟化石墨烯进行二次转移调整方向之后，转移到氧化镓层上，构建形成氧化镓/极性氢氟化石墨烯异质结界面，利用异质结界面强烈的电荷转移获得无晶格受损的表面P型氧化镓。本发明摒弃了传统的离子掺杂工艺，采用异质工程转移自对准工艺制备表面P型氧化镓，降低了成本，简化了工艺。本发明通过界面电荷转移效率实现氧化镓表面的电子抽取和空穴注入，不会阻碍载流子的输运特性。本发明通过异质工程制备的P型氧化镓，通过界面强烈的电荷转移实现，对氧化镓表面进行有效的空穴注入，从而实现更加有效的P型氧化镓。

公开(公告)号：CN115458680A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202211138415.6

申请日：2022-09-19

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 林珍华 ,  常晶晶 ,  崔东升 ,  亢梦洋 ,  苏杰 ,  魏葳 ,  郭兴 ,  赵雪 ,  胡赵胜 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法，装置包括从下到上依次设置的下电极、阻变材料层和上电极；下电极、阻变材料层、上电极均为单层结构，下电极采用Pt衬底，阻变材料层采用非晶氧化镓薄膜，上电极采用活性电极Ag；其中阻变材料层采用磁控溅射的方法制备，通过改变磁控溅射过程中氩氧气流量的比例可以实现非晶氧化镓薄膜中氧缺陷浓度的调控，使得器件同时具备单极性和双极性模式，而且在单双极可逆转变中仅使用同一限流，相同的限流条件可以简化集成阻变存储器外围的电路设计，以此来减小集成电路面积并降低电路功耗。最后，使用真空蒸镀设备进行100‑200nm上电极Ag的制备。本发明简化了工艺流程，且具有结构简单、功耗低以及器件性能高等优点。

公开(公告)号：CN115424940B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202211026540.8

申请日：2022-08-25

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 常晶晶 ,  袁海东 ,  苏杰 ,  林珍华 ,  高香香 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/46 ,  H01L21/02 ,  C01B32/194

Abstract: 一种表面P型氧化镓的制备方法，在衬底上生长氧化镓层，然后通过表面功能化生长制备单层极性氢氟化石墨烯，最后采用转印聚合物对极性氢氟化石墨烯进行二次转移调整方向之后，转移到氧化镓层上，构建形成氧化镓/极性氢氟化石墨烯异质结界面，利用异质结界面强烈的电荷转移获得无晶格受损的表面P型氧化镓。本发明摒弃了传统的离子掺杂工艺，采用异质工程转移自对准工艺制备表面P型氧化镓，降低了成本，简化了工艺。本发明通过界面电荷转移效率实现氧化镓表面的电子抽取和空穴注入，不会阻碍载流子的输运特性。本发明通过异质工程制备的P型氧化镓，通过界面强烈的电荷转移实现，对氧化镓表面进行有效的空穴注入，从而实现更加有效的P型氧化镓。