公开(公告)号：CN118694368A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410871991.4

申请日：2024-07-01

Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

Inventor： 梁宇华 ,  杨生民 ,  李铁虎 ,  刘帘曦

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/12

Abstract: 本发明公开了一种高精度时域交织数据转换器时间偏差数字后台校准方法，包括：将本轮时间偏差估计值输入至微分器组中得到本轮的第一、二、三补偿项；通过这些补偿项补偿经模数转换器后的数字信号得到本轮补偿后的数字信号，通过本轮补偿后的数字信号确定下一轮的时间偏差；多伦补偿后得到校准后的数字信号；该微分器组是通过上采样将各通道的信号聚合在一起后同时对其进行微分，再通过下采样将各通道的数据从微分数据中分离出来；三个补偿项组成的多项式能够表征数字信号的多阶误差。本发明能够通过一个微分器组实现对多个通道信号的微分处理，减少电路面积和功耗；通过这三个补偿项来补偿数字信号能够消除数字信号的多阶误差，从而提高校准精度。

公开(公告)号：CN116599516A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310465881.3

申请日：2023-04-26

Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

Inventor： 梁宇华 ,  万婧 ,  朱樟明

IPC: H03K19/0175 ,  H03K19/00 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明涉及一种基于开关电容技术的低延时电平位移器，包括：控制信号产生器、内部转换电路、锁存器电路和输出电路，其中，控制信号产生器产生控制信号，内部转换电路包括两路输出支路根据控制信号输出两路输出信号，在输入电平状态发生变化的瞬时状态下，一路输出支路的输出信号变为瞬间低电压，另一路输出支路的输出信号保持为高电源电压；锁存器电路用于根据接收的两路输出信号产生一对电平幅度为高电源电压的低延时互补电平信号；输出电路根据低延时互补电平信号产生输出电平。本发明能够迅速地响应输入电平的变换并获得输出转换电平，具有低延时的优点，改善了由于电平转换速度变慢导致功耗增大的问题。

公开(公告)号：CN118677461A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410838772.6

申请日：2024-06-26

Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

Inventor： 梁宇华 ,  杨生民 ,  李铁虎 ,  刘帘曦

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/06

Abstract: 本发明公开了一种高带宽时域交织模数转换器时间偏差数字后台校准方法，包括：根据带一阶补偿因子和二阶补偿因子的微分器对每个通道内数字信号的时间偏差进行多伦迭代求解，将最后一轮迭代补偿后的数字信号确定为校准后的数字信号；在每轮迭代中，具体通过上一轮迭代补偿后的数字信号估计本轮的时间误差，用带一阶补偿因子和二阶补偿因子的微分器缩小采样时间失配误差，从而完成对数字信号的一轮校准。本发明通过两个补偿因子能够弥补抽头数较低的微分器信号带宽与理想微分器的信号带宽存在的偏差，从而能够在微分器抽头数较少的情况下提高校准带宽，减少电路面积开销、降低功耗和时延。

公开(公告)号：CN117709293A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311716372.X

申请日：2023-12-13

Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

Inventor： 梁宇华 ,  杜纲领 ,  李铁虎 ,  朱樟明 ,  刘建伟

IPC: G06F30/398 ,  G06F117/12

Abstract: 本发明提供了一种计算先进工艺CMOS集成电路互连层纵向温度分布的方法，将层间介质层中所有热流方向均视为向下平行传递；水平方向上对模型各层进行了区域划分，各区域仅接收并传递全局互连线向水平面的投影与该区域向水平面投影能够重合的这一部分全局互连线产生的热量；热流在经过互连线时所产生的温升被忽略掉。然后计算出各互连层每个区域的温升后，按照其横向几何尺寸占比将温升进行加权，得到最终仅需几何尺寸和热源功耗即可快速地近似计算任意两层互连层之间温升的方法。因此本发明可以降低计算互连层之间温升的难度和成本，并保证了计算准确率。

公开(公告)号：CN117787192A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311829583.4

申请日：2023-12-27

Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

Inventor： 梁宇华 ,  杜纲领 ,  李铁虎 ,  朱樟明 ,  刘建伟

IPC: G06F30/394 ,  G06F30/398

Abstract: 本发明涉及一种先进工艺CMOS集成电路多层互连的热等效电路简化方法，通过绘制先进工艺CMOS集成电路多层互连三维模型的结构剖面图；根据内部热流传递规律绘制初步简化的热流传递示意图，再绘制初步简化热等效电路；对结构进行热仿真和结果可视化处理；结合可视化热仿真结果与传热学原理对初步简化的热流传递示意图进行分析和再次简化得到结构的热流传递简化图；根据该热流传递简化图对结构的初步简化的热等效电路分析和再次简化，并根据热仿真结果验证和优化得到最终的热等效电路。本发明能够将与集成电路与相关的复杂热传导问题转化为电学问题，极大程度地提高工程中解决先进工艺CMOS集成电路多层互连结构的热学问题的效率。