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公开(公告)号：CN117175218A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311205410.5
申请日：2023-09-19
Applicant: 西安科技大学
Abstract: 本发明是关于一种基于肖特基二极管双频段独立可控的能量选择表面，包括：集总器件、谐振层以及介质层；集总器件包括：多个二极管和电容；谐振层包括：多个闭口谐振方环以及与其对应的第一微带线、第二微带线和金属延长臂；第一微带线设置在闭口谐振方环内部，第二微带线设置在闭口谐振方环外部，第二微带线均和金属延长臂相连接；两个金属延长臂之间通过电容和二极管相连接。本实施例中，通过对集总器件以及谐振层进行结构设计，在低功率电磁波入射下拥有较低的插入损耗，在高功率电磁波入射下拥有较高的屏蔽能效。本发明可以实现双工作频带，且可以在不同频点的高功率电磁波入射下，两个工作频带可以独立的表现出通带和阻带特性，相互不受干扰。
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