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公开(公告)号：CN119585070A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380057249.3
申请日：2023-07-05
Applicant: 西门子股份公司
IPC: B23K20/12 , H01L21/48 , H01L23/427 , H01L23/473 , H05K7/20 , H01L23/14 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及一种用于制造散热器（1）的方法。在该方法中，首先制造主体（3），该主体具有至少一个主冷却通道（5，7），该主冷却通道从主体（3）的第一外表面（9）延伸至主体（3）的与第一外表面（9）相对置的第二外表面（11）。然后，在该主体（3）中通过摩擦搅拌开槽产生至少一个辅助冷却通道（17，19），该辅助冷却通道与至少一个主冷却通道（5，7）连接，并且至少一个主冷却通道（5，7）在主体（3）的至少一个外表面（9，11）上被封闭。
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公开(公告)号：CN109690873B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201780054908.2
申请日：2017-07-28
Applicant: 西门子股份公司
Inventor： 菲利普·克奈斯尔
Abstract: 本发明涉及一种铜汇流排。为了改进与电缆终端(3)的连接能力而提出，铜汇流排(1)具有至少一个台阶孔(2)以用于借助螺栓连接(4)来固定电缆终端(3)，其中，台阶孔(2)从铜汇流排(1)的第一表面(11)延伸到铜汇流排(1)的第二表面(12)，其中，台阶孔(2)至少具有第一区域(21)、第二区域(22)和第三区域(23)，其中，台阶孔(2)的第一区域(21)邻接第一表面(11)，其中，在第二区域(22)的长度上，台阶孔的半径恒定地具有第二半径值(r2)，其中，第三区域(23)邻接第二表面(12)，其中，第三区域(23)至少在第二表面(12)处具有带有第三半径值(r3)的半径，其中，第三半径值(r3)小于第二半径值(r2)。此外，本发明涉及一种接触系统(30)，其具有这种铜汇流排(1)，本发明还涉及一种变流器，其具有这种铜汇流排(1)或这种接触系统(30)。此外，本发明涉及一种用于这种铜汇流排(1)的制造方法。
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公开(公告)号：CN116711195A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202180091003.9
申请日：2021-12-01
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H02M1/12
Abstract: 本发明涉及一种具有至少两个尤其相同的功率半导体模块(4，6)的功率转换器(2)。为了实现与现有技术相比更高的可靠性而提出，功率半导体模块(4，6)各自具有至少一个功率半导体(10，12)和多个功率触点(18，20，22，24，46，48)，功率半导体(10，12)与相应的功率半导体模块(4，6)的功率触点(18，20，22，24，46，48)导电地连接，功率触点(18，20，22，24，46，48)为了功率半导体模块(4，6)的并联而分别通过外部电路(32，34，54)导电地相连，功率半导体(10，12)通过至少一个附加的连接器(36)导电地相互连接，至少一个附加的连接器(36)具有与外部电路(32，34，54)相比更小的寄生电感和/或更小的串联电阻。
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公开(公告)号：CN116635700A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180080861.3
申请日：2021-10-13
Applicant: 西门子股份公司
IPC: G01K7/18
Abstract: 本发明涉及一种半导体模块(8)，具有至少一个半导体元件(10)、基板(12)和至少一个键合连接机构(2)，其中，半导体元件(10)和/或基板(12)与至少一个键合连接机构(2)连接。为了实现优化布局而提出，键合连接机构(2)具有芯(4)和护套(6)，护套包覆芯(4)、特别是完全包覆芯，其中，芯(4)由第一金属材料制成和护套(6)由与第一金属材料不同的第二金属材料制成，并且其中，芯(4)的第一金属材料具有比护套(6)的第二金属材料更低的电导率，其中，至少一个键合连接机构(2)配置为栅极电阻、分流器、RC滤波器中的电阻或保险丝。
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公开(公告)号：CN109690873A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780054908.2
申请日：2017-07-28
Applicant: 西门子股份公司
Inventor： 菲利普·克奈斯尔
Abstract: 本发明涉及一种铜汇流排。为了改进与电缆终端(3)的连接能力而提出，铜汇流排(1)具有至少一个台阶孔(2)以用于借助螺栓连接(4)来固定电缆终端(3)，其中，台阶孔(2)从铜汇流排(1)的第一表面(11)延伸到铜汇流排(1)的第二表面(12)，其中，台阶孔(2)至少具有第一区域(21)、第二区域(22)和第三区域(23)，其中，台阶孔(2)的第一区域(21)邻接第一表面(11)，其中，在第二区域(22)的长度上，台阶孔的半径恒定地具有第二半径值(r2)，其中，第三区域(23)邻接第二表面(12)，其中，第三区域(23)至少在第二表面(12)处具有带有第三半径值(r3)的半径，其中，第三半径值(r3)小于第二半径值(r2)。此外，本发明涉及一种接触系统(30)，其具有这种铜汇流排(1)，本发明还涉及一种变流器，其具有这种铜汇流排(1)或这种接触系统(30)。此外，本发明涉及一种用于这种铜汇流排(1)的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118743015A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380023263.1
申请日：2023-01-30
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H01L23/473 , H02G5/10 , H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种具有半导体元件(4)和至少一个连接元件(22，24，26)的半导体组件(2)，其中，半导体元件(4)具有至少一个触点(10，12，14)，其中，至少一个连接元件(22，24，26)与半导体元件(4)的触点(10，12，14)连接。为了以低成本和简单的方式改进半导体组件(2)的散热提出的是，连接元件(22，24，26)具有带有至少一个冷却通道(32)的冷却通道结构(30)，其至少部分地借助于FSC方法制造。
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公开(公告)号：CN116805581A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310296208.1
申请日：2023-03-23
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/473 , H01L23/467
Abstract: 本发明涉及一种制造用于冷却具有金属体的半导体装置的设备的方法。为了提出实现对半导体装置改进地散热的成本有效且简单的制造方法，提出以下步骤：借助于第一FSC方法在金属体中的第一深度中制造第一冷却通道，借助于第一FSC方法制造第一连接通道，该第一连接通道以从第一冷却通道延伸到金属体的尤其平坦的表面的方式设置，借助于第二FSC方法在金属体中的第二深度中制造第二冷却通道，其中，第二深度小于第一深度，其中，在第一冷却通道与第二冷却通道之间经由第一连接通道建立流体连接，其中，通过冷却通道和第一连接通道构成冷却通道结构。
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公开(公告)号：CN116057702A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180058833.1
申请日：2021-07-27
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H01L25/07
Abstract: 一种功率半导体模块(1)，其具有功率半导体电路和壳体(2)，其中壳体(2)至少部分地包围功率半导体电路，并且其中功率半导体电路具有第一接触电极(3)和第二接触电极(4)，第一和第二接触电极分别与功率半导体电路导电连接，并且第一和第二接触电极分别通过壳体(2)中的为此设计的空隙(9，10)被向外引导穿过壳体(2)。功率半导体模块(1)的特征在于，壳体(2)具有第一接触区域(15)、第二接触区域(16)和第三接触区域(17)，其中在第一接触区域(15)中能够接触第一接触电极(3)，并且在第二接触区域(16)中能够接触第二接触电极(4)，并且在第三接触区域(17)中能够共同接触第一接触电极(3)和第二接触电极(4)，其中壳体(2)在接触区域(15，16，17)中分别具有空隙，螺纹部件插入空隙中，其中空隙和优选螺纹部件设计用于容纳螺栓，以便使接触电极(3，4)分别在接触区域(15，16，17)中与外部电压/电流源接触，优选地在壳体(2)的外侧处接触，其中接触电极(3，4)优选地同样具有用于容纳螺栓的空隙。
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公开(公告)号：CN116057700A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180056937.9
申请日：2021-07-27
Applicant: 西门子股份公司
IPC: H01L23/538
Abstract: 本发明提出一种用于制造功率半导体模块系统的方法，包括：a)制造第一功率半导体模块和第二功率半导体模块，其中，功率半导体模块分别具有功率半导体电路；b)将第一接触电极和第二接触电极与相应的功率半导体电路连接；c)利用公共壳体至少部分地包围两个功率半导体模块，其中，两个功率半导体模块的第一接触电极和第二接触电极分别通过公共壳体中构成的缺口穿过公共壳体向外被引导，并且其中，公共壳体具有第一接触区域、第二接触区域和第三接触区域，并且其中，在第一接触区域中第一功率半导体模块的第一接触电极和第二接触电极能够接触在一起，并且在第二接触区域中第二功率半导体模块的第一接触电极和第二接触电极能够接触在一起，并且在第三接触区域中第一功率半导体模块的第二接触电极和第二功率半导体模块的第二接触电极能够接触在一起。
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公开(公告)号：CN115803482A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180049080.8
申请日：2021-05-10
Applicant: 西门子股份公司
IPC: C25D11/02
Abstract: 本发明涉及用于制造用于功率变换器(10)的铝汇流排(1)的方法。为了改进具有这种铝汇流排的功率变换器的安装和维护而提出在第一步骤中铝汇流排(1)的表面(2)或表面(2)的至少部分(21，22，23)借助于阳极氧化处理获得一种或多种预设的颜色，其中在第二步骤中将冷气覆层至少应用在表面的第一部分(21)处以提供接触面。本发明还涉及用于功率变换器(10)的铝汇流排(1)，铝汇流排借助这种方法制造，其中铝汇流排(1)的表面(2)具有预设的颜色，所述颜色借助于阳极氧化处理施加到表面(2)上。本发明还涉及具有至少一个这种铝汇流排(1)的功率变换器(10)，其中功率变换器(10)的汇流排(1)中的至少两个的颜色不同。
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