公开(公告)号：CN119856598A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380064508.5

申请日：2023-09-29

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 杰罗姆·加尼耶 ,  托马斯·斯坦内特 ,  约翰内斯·斯科尔茨 ,  黄强

IPC: H10K85/10 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明涉及一种半导体材料、用于制备所述半导体材料的层的方法、包含所述半导体材料的有机半导体器件和包含所述有机半导体器件的显示器件。本发明还涉及一种化合物。

公开(公告)号：CN119836865A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380064465.0

申请日：2023-09-29

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 托马斯·斯坦内特

IPC: H10K85/10 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明涉及一种半导体材料、用于制备所述半导体材料的层的方法以及包含所述半导体材料的有机半导体器件。本发明还涉及一种化合物。

公开(公告)号：CN118303147A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202280070479.9

申请日：2022-09-26

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 杰罗姆·加尼耶 ,  托马斯·斯坦内特 ,  苏珊·诺沃特尼 ,  约翰内斯·斯科尔茨

IPC: H10K50/17 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明涉及一种包含电子注入层的有机电子器件以及适合在其中使用的化合物。