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公开(公告)号：CN101872843A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910225788.5
申请日：2006-04-13
Applicant: 诺瓦莱德公开股份有限公司
CPC classification number: H01L51/002 , H01L51/5004 , H01L51/5052
Abstract: 用于有机pin型发光二极管的结构及其制造方法。本发明是涉及一种有机pin型发光二极管结构，具有电极、反电极和位于电极和反电极之间的有机叠层，其中有机叠层包括包含k(k＝1，2，3，...)种有机基质材料的发射层、设置在电极和发射层之间的掺杂电荷载流子传输层、设置在反电极和发射层之间的附加掺杂电荷载流子传输层、和设置在掺杂电荷载流子传输层之一和发射层之间的阻挡层。有机叠层由n(n≤k+2)种有机基质材料形成，其中n种有机基质材料包括发射层的k种有机基质材料。有机叠层还可以无阻挡层的方式来实施，这时发射层和掺杂电荷载流子传输层由一种有机基质材料形成。而且，给出了该结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN102388475A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201080012966.7
申请日：2010-03-19
Applicant: 诺瓦莱德公开股份有限公司
IPC: H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0583 , H01L29/866 , H01L51/002 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/4293 , H01L2251/308
Abstract: 有机齐纳二极管，所述齐纳二极管具有电极、对电极以及在电极和对电极之间并且与之电接触地形成的有机层系统，其中，有机层系统包括下列有机层：电极侧的电n型掺杂的载流子注入层、对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层以及电未掺杂的有机中间层，所述电极侧的电n型掺杂的载流子注入层由有机基质材料和n型掺杂物的混合物制成，所述对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层由其它有机基质材料和p型掺杂物的混合物制成，所述基质材料可选择与在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层中的基质材料一样，所述电未掺杂的有机中间层布置在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层和对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层之间。此外，设置有一种带有有机齐纳二极管的电子电路系统以及一种用于运行有机齐纳二极管的方法。
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公开(公告)号：CN101771134A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910225792.1
申请日：2006-04-13
Applicant: 诺瓦莱德公开股份有限公司
CPC classification number: H01L51/002 , H01L51/5004 , H01L51/5052
Abstract: 用于有机pin型发光二极管的结构及其制造方法。本发明是涉及一种有机pin型发光二极管结构，具有电极、反电极和位于电极和反电极之间的有机叠层，其中有机叠层包括包含k(k＝1，2，3，...)种有机基质材料的发射层、设置在电极和发射层之间的掺杂电荷载流子传输层、设置在反电极和发射层之间的附加掺杂电荷载流子传输层、和设置在掺杂电荷载流子传输层之一和发射层之间的阻挡层。有机叠层由n(n≤k+2)种有机基质材料形成，其中n种有机基质材料包括发射层的k种有机基质材料。有机叠层还可以无阻挡层的方式来实施，这时发射层和掺杂电荷载流子传输层由一种有机基质材料形成。而且，给出了该结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN101395734B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200780007859.3
申请日：2007-01-11
Applicant: 诺瓦莱德公开股份有限公司
IPC: H01L51/52
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L51/002 , H01L51/0046 , H01L51/0059 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0086 , H01L51/5052 , H01L51/5212 , H01L51/5228
Abstract: 本发明涉及一种有机光电子结构元件，所述结构元件具有底电极、设置有通孔的顶电极和有机层布置，所述有机层布置被构成为在底电极与顶电极之间并与它们电接触，并且在所述元件中，在光发射区域内，当施加电能到底电极和顶电极时，可以产生光，其中设置有同样延伸到通孔区域里面去的有机电流分布层，所述电流分布层与所述顶电极和所述光发射区域电接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101771134B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910225792.1
申请日：2006-04-13
Applicant: 诺瓦莱德公开股份有限公司
CPC classification number: H01L51/002 , H01L51/5004 , H01L51/5052
Abstract: 用于有机pin型发光二极管的结构及其制造方法。本发明是涉及一种有机pin型发光二极管结构，具有电极、反电极和位于电极和反电极之间的有机叠层，其中有机叠层包括包含k(k＝1，2，3，...)种有机基质材料的发射层、设置在电极和发射层之间的掺杂电荷载流子传输层、设置在反电极和发射层之间的附加掺杂电荷载流子传输层、和设置在掺杂电荷载流子传输层之一和发射层之间的阻挡层。有机叠层由n(n≤k+2)种有机基质材料形成，其中n种有机基质材料包括发射层的k种有机基质材料。有机叠层还可以无阻挡层的方式来实施，这时发射层和掺杂电荷载流子传输层由一种有机基质材料形成。而且，给出了该结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN1848479A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610073590.6
申请日：2006-04-13
Applicant: 诺瓦莱德公开股份有限公司
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/002 , H01L51/5004 , H01L51/5052
Abstract: 本发明是涉及一种有机pin型发光二极管结构，具有电极、反电极和位于电极和反电极之间的有机叠层，其中有机叠层包括包含k(k＝1，2，3，…)种有机基质材料的发射层、设置在电极和发射层之间的掺杂电荷载流子传输层、设置在反电极和发射层之间的附加掺杂电荷载流子传输层、和设置在掺杂电荷载流子传输层之一和发射层之间的阻挡层。有机叠层由n(n≤k+2)种有机基质材料形成，其中n种有机基质材料包括发射层的k种有机基质材料。有机叠层还可以无阻挡层的方式来实施，这时发射层和掺杂电荷载流子传输层由一种有机基质材料形成。而且，给出了该结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN102388475B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201080012966.7
申请日：2010-03-19
Applicant: 诺瓦莱德公开股份有限公司
IPC: H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0583 , H01L29/866 , H01L51/002 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/4293 , H01L2251/308
Abstract: 有机齐纳二极管，所述齐纳二极管具有电极、对电极以及在电极和对电极之间并且与之电接触地形成的有机层系统，其中，有机层系统包括下列有机层：电极侧的电n型掺杂的载流子注入层、对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层以及电未掺杂的有机中间层，所述电极侧的电n型掺杂的载流子注入层由有机基质材料和n型掺杂物的混合物制成，所述对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层由其它有机基质材料和p型掺杂物的混合物制成，所述基质材料可选择与在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层中的基质材料一样，所述电未掺杂的有机中间层布置在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层和对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层之间。此外，设置有一种带有有机齐纳二极管的电子电路系统以及一种用于运行有机齐纳二极管的方法。
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公开(公告)号：CN101872843B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910225788.5
申请日：2006-04-13
Applicant: 诺瓦莱德公开股份有限公司
CPC classification number: H01L51/002 , H01L51/5004 , H01L51/5052
Abstract: 用于有机pin型发光二极管的结构及其制造方法。本发明是涉及一种有机pin型发光二极管结构，具有电极、反电极和位于电极和反电极之间的有机叠层，其中有机叠层包括包含k(k＝1，2，3，...)种有机基质材料的发射层、设置在电极和发射层之间的掺杂电荷载流子传输层、设置在反电极和发射层之间的附加掺杂电荷载流子传输层、和设置在掺杂电荷载流子传输层之一和发射层之间的阻挡层。有机叠层由n(n≤k+2)种有机基质材料形成，其中n种有机基质材料包括发射层的k种有机基质材料。有机叠层还可以无阻挡层的方式来实施，这时发射层和掺杂电荷载流子传输层由一种有机基质材料形成。而且，给出了该结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN101395734A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007859.3
申请日：2007-01-11
Applicant: 诺瓦莱德公开股份有限公司
IPC: H01L51/52
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L51/002 , H01L51/0046 , H01L51/0059 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0086 , H01L51/5052 , H01L51/5212 , H01L51/5228
Abstract: 本发明涉及一种有机光电子结构元件，所述结构元件具有底电极、设置有通孔的顶电极和有机层布置，所述有机层布置被构成为在底电极与顶电极之间并与它们电接触，并且在所述元件中，在光发射区域内，当施加电能到底电极和顶电极时，可以产生光，其中设置有同样延伸到通孔区域里面去的有机电流分布层，所述电流分布层与所述顶电极和所述光发射区域电接触。
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