公开(公告)号：CN112951928B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202010072891.7

申请日：2020-01-21

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 廖士霆 ,  罗俊杰 ,  张瀚丞 ,  黄建福 ,  陈建勋

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明公开了一种电极结构，包括多层掺杂多晶结构与电极。多层掺杂多晶结构包括第一掺杂多晶层、第二掺杂多晶层与第一掺杂介电层。第二掺杂多晶层位于第一掺杂多晶层上。第一掺杂多晶层与第二掺杂多晶层为相同掺杂型。第二掺杂多晶层的掺杂浓度大于第一掺杂多晶层的掺杂浓度。第一掺杂介电层位于第一掺杂多晶层与第二掺杂多晶层之间。电极位于第二掺杂多晶层的远离第一掺杂介电层的一侧。电极电性连接至多层掺杂多晶结构。上述电极结构可优化场效应、提升隐开路电压与降低片电阻。

公开(公告)号：CN112951928A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202010072891.7

申请日：2020-01-21

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 廖士霆 ,  罗俊杰 ,  张瀚丞 ,  黄建福 ,  陈建勋

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明公开了一种电极结构，包括多层掺杂多晶结构与电极。多层掺杂多晶结构包括第一掺杂多晶层、第二掺杂多晶层与第一掺杂介电层。第二掺杂多晶层位于第一掺杂多晶层上。第一掺杂多晶层与第二掺杂多晶层为相同掺杂型。第二掺杂多晶层的掺杂浓度大于第一掺杂多晶层的掺杂浓度。第一掺杂介电层位于第一掺杂多晶层与第二掺杂多晶层之间。电极位于第二掺杂多晶层的远离第一掺杂介电层的一侧。电极电性连接至多层掺杂多晶结构。上述电极结构可优化场效应、提升隐开路电压与降低片电阻。