可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法

    公开(公告)号:CN1868862A

    公开(公告)日:2006-11-29

    申请号:CN200510072280.8

    申请日:2005-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法,是一种使用对立蚀刻槽与蚀刻停止液体搭配,达到芯片级的组件微结构尺寸控制的技术。而控制的技术,则是在芯片两面,分别蚀刻一组包围组件的对立沟槽,而在芯片正面,与组件微结构同面的沟槽,深度则等同于所需求的微结构尺寸;反之在芯片背面的沟槽深度,则无须特别定义,只须待最后待组件释放的同时,背面的沟槽蚀刻与正面沟槽接触时,组件将会由整片芯片上自动分离,由原本的蚀刻液中,落入下层的作为蚀刻停止液体的二碘甲烷中,进而停止蚀刻,借此达到组件微结构尺寸的控制。

    可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法

    公开(公告)号:CN100580886C

    公开(公告)日:2010-01-13

    申请号:CN200510072280.8

    申请日:2005-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法,是一种使用对立蚀刻槽与蚀刻停止液体搭配,达到芯片级的组件微结构尺寸控制的技术。而控制的技术,则是在芯片两面,分别蚀刻一组包围组件的对立沟槽,而在芯片正面,与组件微结构同面的沟槽,深度则等同于所需求的微结构尺寸;反之在芯片背面的沟槽深度,则无须特别定义,只须待最后待组件释放的同时,背面的沟槽蚀刻与正面沟槽接触时,组件将会由整片芯片上自动分离,由原本的蚀刻液中,落入下层的作为蚀刻停止液体的二碘甲烷中,进而停止蚀刻,借此达到组件微结构尺寸的控制。

    显示单元驱动方法和显示系统

    公开(公告)号:CN101685613B

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN200810215221.5

    申请日:2008-09-22

    Abstract: 一种显示单元包括电容、像素和开关。电容两端点分别接收漏极控制信号和共同电压信号,根据漏极控制信号和共同电压信号的电压差来充电或放电。像素两端点分别接收漏极控制信号和共同电压信号,并根据漏极控制信号和共同电压信号的电压差来显像。开关包括第一端接收源极控制信号、第二端接收开关控制信号和第三端耦接像素和电容,开关根据开关控制信号导通使源极控制信号经由第三端传送至像素和电容。开关根据开关控制信号在一帧内导通两次,第一次导通使像素显像,第二次导通使电容放电以避免开关第三端的电压位准超过一预定电压。

    显示单元、显示单元驱动方法和显示系统

    公开(公告)号:CN101685613A

    公开(公告)日:2010-03-31

    申请号:CN200810215221.5

    申请日:2008-09-22

    Abstract: 一种显示单元包括电容、像素和开关。电容两端点分别接收漏极控制信号和共同电压信号,根据漏极控制信号和共同电压信号的电压差来充电或放电。像素两端点分别接收漏极控制信号和共同电压信号,并根据漏极控制信号和共同电压信号的电压差来显像。开关包括第一端接收源极控制信号、第二端接收开关控制信号和第三端耦接像素和电容,开关根据开关控制信号导通使源极控制信号经由第三端传送至像素和电容。开关根据开关控制信号在一帧内导通两次,第一次导通使像素显像,第二次导通使电容放电以避免开关第三端的电压位准超过一预定电压。

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