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公开(公告)号：CN108983370B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201810521350.0
申请日：2018-05-28
Applicant: 迈络思科技有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 描述了用于表征光学组件相对于彼此的位置以优化光模块的性能的系统和方法。具体而言，提供了一种机构让用户从光纤视角视觉地确定光模块的透镜组装件与诸如垂直腔面发射激光器（vertical‑cavity surface‑emitting laser，VCSEL）或光电二极管等光电收发器的对准和相对定位。通过在x‑y平面中表征透镜组装件相对于光电收发器的位置和/或确定组件在z方向上的间距，用户可以补偿由于组件的相对定位不准确而导致的通过光模块的预期信号损失，调整被检查的光模块中的组件的相对定位，或者修改制造参数以提高尚未构建的模块和PCBA中的定位精度。
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公开(公告)号：CN107317631A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710192083.2
申请日：2017-03-28
Applicant: 迈络思科技有限公司
IPC: H04B10/40 , H04B10/079 , H04B10/03 , H04B10/038
CPC classification number: H04B10/40 , H04B10/032 , H04B10/0795 , H04B10/03 , H04B10/038 , H04B10/079 , H04B10/0791
Abstract: 本发明描述了一种可重构和冗余光电连接器及相应方法。该连接器可包括与第一端口电通信的第一多个转换器和与第二端口电通信的第二多个转换器、定义第一通道的第一端口和第一转换器和定义第二通道的第二端口和第二转换器。该连接器可包括组合第一光信号和第二光信号的选择组合器，以及与每个转换器通信的控制器。该控制器可在第一配置中在至少第一通道上传输第一数据链的至少第一部分。该控制器可将第一数据链的第一部分再分配到第二配置中的至少第二通道内。
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公开(公告)号：CN114825040B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202111591179.9
申请日：2021-12-23
Applicant: 迈络思科技有限公司
Abstract: 描述了用于1200 nm至1600 nm的波长范围内的长波长应用的若干VCSEL器件。这些器件包括有源区，该有源区位于GaAs晶片上的半导体DBR与在有源区上再生长的电介质DBR之间。所述有源区包括限制在有源n‑InP和p‑InAlAs层之间的多量子层（MQL）以及MQL上方的隧道结层。半导体DBR被通过晶片键合工艺融合到有源区的底部。设计通过仅使一个晶片键合然后使包括电介质DBR的其他层再生长而简化了集成反射器和有源区堆叠。在有源区的n‑InP层或半导体DBR的顶部上的气隙间隔层中制造气隙。气隙增强了VCSEL的光学限制。气隙还可以包含光栅。
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公开(公告)号：CN114864730B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202210078825.X
申请日：2022-01-24
Applicant: 迈络思科技有限公司
Inventor： 尤里·贝尔克 , 弗拉基米尔·亚科夫列夫 , 塔米尔·沙尔卡兹 , 埃拉德·门托维奇 , 马坦·加兰图 , 伊特沙克·卡利法 , 帕拉斯凯瓦斯·巴科普洛斯
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/0352
Abstract: 提供改善的PIN型光电二极管的各种实施方式。在示例实施方式中，所述PIN型光电二极管包括：p型触点；n型触点；第一吸收层，其设置在所述p型触点与所述n型触点之间；以及第二吸收层，其设置在所述第一吸收层与所述n型触点之间。所述第一吸收层的特征在于第一吸收系数，并且所述第二吸收层的特征在于第二吸收系数。所述第二吸收系数大于所述第一吸收系数。在另一示例实施方式中，所述PIN型光电二极管包括：p型触点；n型触点；第一吸收层，其设置在所述p型触点与所述n型触点之间；以及非吸收加速层，其设置在吸收层和非吸收漂移层与所述n型触点之间。
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公开(公告)号：CN114864730A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210078825.X
申请日：2022-01-24
Applicant: 迈络思科技有限公司
Inventor： 尤里·贝尔克 , 弗拉基米尔·亚科夫列夫 , 塔米尔·沙尔卡兹 , 埃拉德·门托维奇 , 马坦·加兰图 , 伊特沙克·卡利法 , 帕拉斯凯瓦斯·巴科普洛斯
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/0352
Abstract: 提供改善的PIN型光电二极管的各种实施方式。在示例实施方式中，所述PIN型光电二极管包括：p型触点；n型触点；第一吸收层，其设置在所述p型触点与所述n型触点之间；以及第二吸收层，其设置在所述第一吸收层与所述n型触点之间。所述第一吸收层的特征在于第一吸收系数，并且所述第二吸收层的特征在于第二吸收系数。所述第二吸收系数大于所述第一吸收系数。在另一示例实施方式中，所述PIN型光电二极管包括：p型触点；n型触点；第一吸收层，其设置在所述p型触点与所述n型触点之间；以及非吸收加速层，其设置在吸收层和非吸收漂移层与所述n型触点之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107317631B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201710192083.2
申请日：2017-03-28
Applicant: 迈络思科技有限公司
IPC: H04B10/40 , H04B10/079 , H04B10/03 , H04B10/038
Abstract: 本发明描述了一种可重构和冗余光电连接器及相应方法。该连接器可包括与第一端口电通信的第一多个转换器和与第二端口电通信的第二多个转换器、定义第一通道的第一端口和第一转换器和定义第二通道的第二端口和第二转换器。该连接器可包括组合第一光信号和第二光信号的选择组合器，以及与每个转换器通信的控制器。该控制器可在第一配置中在至少第一通道上传输第一数据链的至少第一部分。该控制器可将第一数据链的第一部分再分配到第二配置中的至少第二通道内。
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公开(公告)号：CN108983370A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810521350.0
申请日：2018-05-28
Applicant: 迈络思科技有限公司
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4227 , G02B6/4214 , G02B6/4221 , G02B6/4224 , G02B6/4228
Abstract: 描述了用于表征光学组件相对于彼此的位置以优化光模块的性能的系统和方法。具体而言，提供了一种机构让用户从光纤视角视觉地确定光模块的透镜组装件与诸如垂直腔面发射激光器（vertical-cavity surface-emitting laser，VCSEL）或光电二极管等光电收发器的对准和相对定位。通过在x-y平面中表征透镜组装件相对于光电收发器的位置和/或确定组件在z方向上的间距，用户可以补偿由于组件的相对定位不准确而导致的通过光模块的预期信号损失，调整被检查的光模块中的组件的相对定位，或者修改制造参数以提高尚未构建的模块和PCBA中的定位精度。
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公开(公告)号：CN107167882A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710133489.3
申请日：2017-03-08
Applicant: 迈络思科技有限公司
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4271 , G01J1/0252 , G01J1/0425 , G02B6/4214 , G02B6/428 , G02B6/4292 , H01S5/02248 , H01S5/02415 , H01S5/183 , G02B6/4296 , G02B6/4298
Abstract: 本发明描述了一种装置和方法，其提供了用于在光纤系统中冷却光电转换器的改进机制。该装置包括响应于来自TEC驱动器的指令用于从光电转换器移除热的固定到光电转换器的热电冷却器（TEC），以及电连接到TEC驱动器的微控制器，该微控制器用于监测温度并且与TEC驱动器通信以至少部分地基于监测的温度和/或测量的/检测的数据选择性地激活和停用TEC，以实现对于光电转换器（例如VCSEL）更有效的冷却机制。此外，用户能够配置系统以将光电转换器维持在用户定义的温度范围内。这样，可以达到光电转换器的更长寿命和更好性能，并且关于冷却和/或维护的数据中心成本可最小化。
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公开(公告)号：CN114365039B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN201980097294.5
申请日：2019-06-10
Applicant: 迈络思科技有限公司 , 苏黎世联邦理工学院 , 塞萨洛尼基亚里士多德大学
Inventor： 克劳迪亚·霍斯巴赫 , 于尔格·莱乌托尔德 , 埃拉德·门托维奇 , 帕拉斯科瓦斯·巴科普洛斯 , 迪米特里奥斯·卡拉沃齐奥蒂斯 , 迪米特里奥斯·西奥科斯
Abstract: 一种光电子装置（20）包括薄膜结构（56），所述薄膜结构（56）设置在半导体衬底（54）上并且被图案化，以便限定集成驱动电路的部件，所述集成驱动电路被配置为生成驱动信号。交替的金属层（44，46）和介电层（50）的后端线（BEOL）堆叠（42）设置在所述薄膜结构上方。所述金属层包括调制器层（48），所述调制器层（48）包含等离子体激元波导（36，99，105）和多个电极（30，32，34，96，98，106），所述多个电极（30，32，34，96，98，106）响应于所述驱动信号而对所述等离子体激元波导中传播的表面等离子体激元极化子（SPP）施加调制。多个互连层被图案化以将所述薄膜结构耦合到所述电极。光输入耦合器（38，82）被配置为将光耦合到所述调制器层中，由此通过所述SPP的所述调制来调制所述光，并且光输出耦合器（38，82）被配置为将所述调制光耦合出所述调制器层。
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公开(公告)号：CN114531264B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202111371118.1
申请日：2021-11-18
Applicant: 迈络思科技有限公司
Inventor： 艾亚尔·摩西·瓦尔德曼 , 雅各布·格里迪什 , 埃拉德·门托维奇 , 波阿斯·阿蒂亚斯 , 安德雷·盖尔
IPC: H04L9/40 , H04L49/111
Abstract: 提供一种认证方法、网络交换机和网络装置。在一个示例中，描述了一种方法，所述方法包括：接收指示数据通道被激活并且被配置为将数据传输到所述网络交换机或在所述网络交换机内传输数据的第一信号；接收指示在所述网络交换机或连接到所述网络交换机的装置中建立认证通道的第二信号，其中所述认证通道不同于所述数据通道；以及仅响应于接收到指示所述认证通道被建立的所述第二信号而启用跨所述数据通道的数据传输。
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