公开(公告)号：CN107486555B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201710445663.8

申请日：2017-06-13

Applicant: 通用电器技术有限公司

Inventor： R.恩格利 ,  T.埃特 ,  F.盖格

IPC: B22F10/28 ,  B22F10/25 ,  B22F1/00 ,  C22C19/05 ,  B33Y70/00 ,  B33Y10/00

Abstract: 本发明涉及Ni基超合金组合物以及用于SLM加工这种Ni基超合金组合物的方法，采用用于基于粉末的添加制造(AM)技术，例如选择性激光熔化(SLM)或电子束熔化(EBM)的Ni基超合金组合物。通过控制形成低熔点共晶的元素尤其是Hf的量，在AM过程期间的裂纹敏感性显著降低。

公开(公告)号：CN107486555A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710445663.8

申请日：2017-06-13

Applicant: 通用电器技术有限公司

Inventor： R.恩格利 ,  T.埃特 ,  F.盖格

IPC: B22F3/105 ,  B22F1/00 ,  C22C19/05 ,  B33Y70/00 ,  B33Y10/00

CPC classification number: C22C19/057 ,  B22F3/105 ,  B23K15/0086 ,  B23K26/123 ,  B23K26/342 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  C22C19/03 ,  C22C19/05 ,  B22F3/1055 ,  B22F1/0003

Abstract: 本发明涉及Ni基超合金组合物以及用于SLM加工这种Ni基超合金组合物的方法，采用用于基于粉末的添加制造(AM)技术，例如选择性激光熔化(SLM)或电子束熔化(EBM)的Ni基超合金组合物。通过控制形成低熔点共晶的元素尤其是Hf的量，在AM过程期间的裂纹敏感性显著降低。