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公开(公告)号:CN101322259A
公开(公告)日:2008-12-10
申请号:CN200680045763.1
申请日:2006-12-01
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5048 , H01B1/06 , H01L51/0059 , H01L51/5221 , H01L2251/5323 , H05B33/28 , Y10T428/31938
Abstract: 本发明披露一种透明电极,该透明电极包括至少一层光学透明导电层和至少一层光学透明中间层,其中所述光学透明导电层与所述光学透明中间层接触,并且其中所述光学透明导电层和所述光学透明中间层整体透射至少50%的波长为约200nm~约1200nm的入射光,所述光学透明导电层的体积电导率为至少100西门子/厘米(S/cm),所述光学透明中间层包括室温时体积电导率小于约10-12西门子/厘米(S/cm)且带隙为3.5eV的材料。本发明还披露一种形成透明电极的方法和包括至少一个透明电极的透明电子器件。
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公开(公告)号:CN101322259B
公开(公告)日:2010-12-22
申请号:CN200680045763.1
申请日:2006-12-01
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5048 , H01B1/06 , H01L51/0059 , H01L51/5221 , H01L2251/5323 , H05B33/28 , Y10T428/31938
Abstract: 本发明披露一种透明电极,该透明电极包括至少一层光学透明导电层和至少一层光学透明中间层,其中所述光学透明导电层与所述光学透明中间层接触,并且其中所述光学透明导电层和所述光学透明中间层整体透射至少50%的波长为约200nm~约1200nm的入射光,所述光学透明导电层的体积电导率为至少100西门子/厘米(S/cm),所述光学透明中间层包括室温时体积电导率小于约10-12西门子/厘米(S/cm)且带隙为3.5eV的材料。本发明还披露一种形成透明电极的方法和包括至少一个透明电极的透明电子器件。
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