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公开(公告)号:CN101504463B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN200910006637.0
申请日:2009-02-06
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明涉及一种带光波导和中子闪烁材料的集成式中子-伽马辐射探测器,具体而言,一种集成式中子-伽马辐射探测器包括伽马传感元件,中子传感元件,以及感光元件,中子传感元件包括至少部分地被光波导材料包围的中子闪烁材料,而感光元件光学地耦合在伽马传感元件和中子传感元件两者上。伽马传感元件的一部分可被布置在中子传感元件的中心孔中。在一方面,中子传感元件包括多个圆柱形的同心的壳,其形成用于接收伽马传感元件的中心孔。在另一方面,中子传感元件包括多个束,其形成多层结构,并形成用于接收伽马传感元件的中心孔。
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公开(公告)号:CN101452080A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200810179773.5
申请日:2008-12-03
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T3/06 , G01T1/1642 , G01T1/17
Abstract: 本发明涉及具有自适应选择的伽马阈值的集成中子伽马辐射检测器。揭示了一种集成辐射检测器(10),具有光耦合于伽马感应元件(18)和中子感应元件(20)的脉冲模式工作光电传感器(24)。该检测器(10)包括脉冲形状和处理电子电路封装(26),其使用模拟到数字转换器(ADC)和电荷到数字转换器(QDC)来确定闪烁衰减时间,并根据辐射类型分类辐射交互作用。脉冲形状和处理电子电路封装(26)从与由伽马感应元件(18)检测的伽马射线关联的谱中确定最大伽马能量,以便自适应地选择中子感应元件(20)的伽马阈值。归于中子感应元件(20)的光脉冲在该光脉冲的幅度高于伽马阈值时是有效中子事件。
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公开(公告)号:CN101452080B
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN200810179773.5
申请日:2008-12-03
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T3/06 , G01T1/1642 , G01T1/17
Abstract: 本发明涉及具有自适应选择的伽马阈值的集成中子伽马辐射检测器。揭示了一种集成辐射检测器(10),具有光耦合于伽马感应元件(18)和中子感应元件(20)的脉冲模式工作光电传感器(24)。该检测器(10)包括脉冲形状和处理电子电路封装(26),其使用模拟到数字转换器(ADC)和电荷到数字转换器(QDC)来确定闪烁衰减时间,并根据辐射类型分类辐射交互作用。脉冲形状和处理电子电路封装(26)从与由伽马感应元件(18)检测的伽马射线关联的谱中确定最大伽马能量,以便自适应地选择中子感应元件(20)的伽马阈值。归于中子感应元件(20)的光脉冲在该光脉冲的幅度高于伽马阈值时是有效中子事件。
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公开(公告)号:CN101504463A
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200910006637.0
申请日:2009-02-06
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明涉及一种带光波导和中子闪烁材料的集成式中子-伽马辐射探测器,具体而言,一种集成式中子-伽马辐射探测器包括伽马传感元件,中子传感元件,以及感光元件,中子传感元件包括至少部分地被光波导材料包围的中子闪烁材料,而感光元件光学地耦合在伽马传感元件和中子传感元件两者上。伽马传感元件的一部分可被布置在中子传感元件的中心孔中。在一方面,中子传感元件包括多个圆柱形的同心的壳,其形成用于接收伽马传感元件的中心孔。在另一方面,中子传感元件包括多个束,其形成多层结构,并形成用于接收伽马传感元件的中心孔。
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