颜色稳定的发射红光的磷光体

    公开(公告)号:CN107075368B

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201580062970.7

    申请日:2015-11-16

    Abstract: 本发明提供了用于合成Mn掺杂磷光体的方法,其包括使式I的前体Ax[MFy]:Mn4+I在高温下与气态形式的含氟氧化剂接触,以形成颜色稳定的Mn4+掺杂磷光体;其中A是Li、Na、K、Rb、Cs或其组合;M是Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合;x是[MFy]离子的电荷的绝对值;y是5、6或7;并且Mn的量范围为基于总重量的约0.9重量%至约4重量%。

    颜色稳定红色发射磷光体

    公开(公告)号:CN106459755B

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201580031443.X

    申请日:2015-06-11

    Abstract: 一种合成Mn4+掺杂磷光体的方法包括使式I的前体Ax[MFy]:Mn4+与气态形式的含氟氧化剂在约200℃至约700℃范围内的任何温度下接触;保持该温度至少1小时的接触时间;并且在接触时间后,使温度以≤5℃/分钟速率降低;其中A为Li、Na、K、Rb、Cs或其组合;M为Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合;x为[MFy]离子的电荷的绝对值;y为5、6或7。

    红光发射磷光体、方法和装置

    公开(公告)号:CN107429160A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201680013986.3

    申请日:2016-03-02

    Abstract: 本发明提出了用于通过电解合成式I的Mn4+掺杂磷光体的方法。该方法包括电解包含锰源、M源和A源的反应溶液。一个方面涉及通过该方法生产的磷光体组合物。本发明还提供了包括磷光体组合物的照明仪器。Ax[MFy]:Mn4+(I),其中,A是Li、Na、K、Rb、Cs或其组合;M是Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合;x是[MFy]离子的电荷的绝对值;和y是5、6或7。

    磷光体材料和相关的设备

    公开(公告)号:CN103827259B

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201280047878.X

    申请日:2012-09-20

    Abstract: 本发明提供了一种磷光体材料,所述磷光体材料包括第一磷光体、第二磷光体和第三磷光体的共混物。所述第一磷光体包括具有通式RE2‑yM1+yA2‑yScySin‑wGewO12+δ:Ce3+的组成,其中RE选自镧系离子或Y3+,其中M选自Mg、Ca、Sr或Ba,A选自Mg或Zn,且其中0≤y≤2,2.5≤n≤3.5,0≤w≤1且‑1.5≤δ≤1.5。所述第二磷光体包括掺杂锰(Mn4+)的复合氟化物,且所述第三磷光体包括具有在约520纳米至约680纳米范围内的发射峰的磷光体组成。本发明也提供了一种包括这种磷光体材料的照明装置。除了磷光体材料之外,所述照明装置还包括光源。

    颜色稳定红色发射磷光体

    公开(公告)号:CN106459755A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201580031443.X

    申请日:2015-06-11

    Abstract: 一种合成Mn4+掺杂磷光体的方法包括使式I的前体Ax[MFy]:Mn4+与气态形式的含氟氧化剂在约200℃至约700℃范围内的任何温度下接触;保持该温度至少1小时的接触时间;并且在接触时间后,使温度以≤5℃/分钟速率降低;其中A为Li、Na、K、Rb、Cs或其组合;M为Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合;x为[MFy]离子的电荷的绝对值;y为5、6或7。

    具有发射红光磷光体的LED封装

    公开(公告)号:CN105684172B

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201480061124.9

    申请日:2014-09-26

    Abstract: 用于制造包含颜色稳定的式I的Mn4+掺杂的磷光体的LED照明装置的方法包括在LED芯片表面上形成聚合物复合材料层,所述聚合物复合材料层包含式I的磷光体的第一颗粒群和第二颗粒群并具有横过其厚度在锰浓度方面变化的分级组成;Ax(M,Mn)Fy (I),其中A为Li、Na、K、Rb、Cs、NR4或其组合;M为Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合;R为H、低级烷基或其组合;X为[MFy]离子的电荷的绝对值;且y为5、6或7。第一颗粒群具有比第二颗粒群更低的锰浓度,且所述聚合物复合材料层中锰浓度的变化范围从聚合物复合材料层的接近LED芯片的区域中的最小值到与LED芯片相对的区域中的最大值。

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