公开(公告)号：CN102881296A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210346611.2

申请日：2012-06-21

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·纳塔拉延 ,  E·P·博登 ,  D·V·戴罗夫 ,  E·M·金 ,  陈国邦 ,  V·K·帕鲁楚鲁 ,  V·P·奥斯特罗弗霍夫 ,  M·J·米斯纳 ,  J·E·皮克特 ,  P·J·麦克罗斯基

IPC: G11B7/0065 ,  G11B7/1353 ,  G11B7/241 ,  G11B7/245

CPC classification number: G11B7/0065 ,  G11B7/24044 ,  G11B7/245 ,  G11B7/246

Abstract: 根据本发明的一个方面，提供了在光学数据存储介质中记录全息数据的方法。所述方法包括(i)提供包含以下各物的光学数据存储介质：(a)热塑性聚合物基质、(b)潜在酸发生剂、(c)非线性敏化剂和(d)包含潜在发色团的反应物。所述方法进一步包括：(ii)用干涉图案照射所述光学数据存储介质的体积单元，所述干涉图案包括具有足以引起上能级三线态能量从所述非线性敏化剂转移到所述潜在酸发生剂的波长和强度的入射辐射，由此产生酸，其中所述潜在酸发生剂对所述入射辐射基本没有响应。所述方法另外包括：(iii)使至少一种受保护的发色团与所产生的酸反应以形成至少一种发色团，由此引起在所述体积单元内的折射指数变化；和(iv)在被照射的体积单元内产生对应于所述干涉图案的折射指数变化，由此产生可光学读取的数据。本发明还提供了光学数据存储介质。

公开(公告)号：CN102881296B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210346611.2

申请日：2012-06-21

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·纳塔拉延 ,  E·P·博登 ,  D·V·戴罗夫 ,  E·M·金 ,  陈国邦 ,  V·K·帕鲁楚鲁 ,  V·P·奥斯特罗弗霍夫 ,  M·J·米斯纳 ,  J·E·皮克特 ,  P·J·麦克罗斯基

IPC: G11B7/0065 ,  G11B7/1353 ,  G11B7/241 ,  G11B7/245

CPC classification number: G11B7/0065 ,  G11B7/24044 ,  G11B7/245 ,  G11B7/246

Abstract: 根据本发明的一个方面，提供了在光学数据存储介质中记录全息数据的方法。所述方法包括(i)提供包含以下各物的光学数据存储介质：(a)热塑性聚合物基质、(b)潜在酸发生剂、(c)非线性敏化剂和(d)包含潜在发色团的反应物。所述方法进一步包括：(ii)用干涉图案照射所述光学数据存储介质的体积单元，所述干涉图案包括具有足以引起上能级三线态能量从所述非线性敏化剂转移到所述潜在酸发生剂的波长和强度的入射辐射，由此产生酸，其中所述潜在酸发生剂对所述入射辐射基本没有响应。所述方法另外包括：(iii)使至少一种受保护的发色团与所产生的酸反应以形成至少一种发色团，由此引起在所述体积单元内的折射指数变化；和(iv)在被照射的体积单元内产生对应于所述干涉图案的折射指数变化，由此产生可光学读取的数据。本发明还提供了光学数据存储介质。