公开(公告)号：CN1938342A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580009717.1

申请日：2005-03-23

Applicant: 通用电气公司

Inventor： C·G·厄尔本 ,  E·M·布赖通 ,  R·塔马基

IPC: C08F14/18 ,  C07F7/21

CPC classification number: C07F7/21 ,  C08F14/18 ,  Y10T428/10

Abstract: 一种多环或者单环的全氟乙烯基化合物，其包含至少一种选自式I和式II的结构单元，其中M在各种情况下独立地为选自元素周期表14族的金属；R在各种情况下独立地为键、氢、脂族基团、脂环族基团或者芳族基团。所述多环或者单环化合物包括至少两个全氟乙烯基团。还提供了用于制备所公开化合物的光学膜的方法，包括由所公开的化合物制备的聚合物的光电设备和由所公开的化合物制备的聚合物。

公开(公告)号：CN101797482A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200911000175.8

申请日：2009-12-04

Applicant: 通用电气公司

Inventor： R·A·哈钦森 ,  H·M·杜 ,  R·塔马基

IPC: B01D71/04 ,  B01D69/12 ,  B01D69/10

CPC classification number: B01D67/009 ,  B01D71/26 ,  B01D71/32 ,  B01D71/34 ,  B01D71/36 ,  B01D71/82

Abstract: 一种制备不对称膜的方法，包括将含有电子束反应基团的聚合物涂覆在多孔基底膜上以形成涂层；用高能源辐射经涂覆的多孔基底膜；以及将电子束反应基团永久性地接枝到多孔基底膜上以形成填充膜孔隙的涂层。