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公开(公告)号:CN1797788A
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200510127251.7
申请日:2005-11-24
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/28
CPC classification number: H01G9/2031 , B82Y10/00 , C23C16/405 , C23C16/56 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521 , Y10T428/12146 , Y10T428/12153 , Y10T428/12167
Abstract: 本说明书公开了一种包含衬底(12)和柱状结构的产品,其中该柱状结构包含半导体,且该柱状结构以下述方式置于衬底(12)上:其中该柱状结构的纵轴基本上垂直于衬底(12)。在此公开了包含其上设有电子传输涂层(14)的衬底(12)的电极(10),其中该电子传输涂层(14)包含柱状结构。
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公开(公告)号:CN1943002A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200480042839.6
申请日:2004-03-01
Applicant: 通用电气公司
Inventor: M·沙伊肯斯 , C·D·伊亚科范格洛 , J·N·约翰逊 , W·A·莫里森
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14647 , H01L31/101
Abstract: 本发明提供了一种等离子体源(102),其中,可以响应等离子体室(104)内的选定条件而将间隙(110)(即阴极与阳极之间距离)实时地调节为所希望的距离。至少一个传感器(116)监视并检测等离子体室(104)内的所述条件的任何变化。包括至少一个等离子体源(102)的装置(100)产生至少一种稳定的、并可实时调节的等离子体。在一个实施例中,装置(100)包括多个等离子体源(102),可以实时地将这些等离子体源(102)“调谐”,以产生互相类似的等离子体,或者相反地,可以将它们“去调谐”,以产生不相类似的等离子体。装置(100)可用于等离子体处理(例如但不限于物件(160)的镀膜、蚀刻和激活)。也公开了提供所述等离子体以及使用所述等离子体处理物件(160)的方法。
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公开(公告)号:CN1797788B
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN200510127251.7
申请日:2005-11-24
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/28
CPC classification number: H01G9/2031 , B82Y10/00 , C23C16/405 , C23C16/56 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521 , Y10T428/12146 , Y10T428/12153 , Y10T428/12167
Abstract: 本发明公开了一种包含衬底(12)和柱状结构的产品,其中该柱状结构包含半导体,且该柱状结构以下述方式置于衬底(12)上:其中该柱状结构的纵轴基本上垂直于衬底(12)。在此公开了包含其上设有电子传输涂层(14)的衬底(12)的电极(10),其中该电子传输涂层(14)包含柱状结构。
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