公开(公告)号：CN117198883A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311076869.X

申请日：2023-08-25

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司

Inventor： 肖添 ,  李孝权 ,  刘勇 ,  何昭键 ,  李航

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种耗尽型沟槽VDMOS制造方法，包括以下步骤：1)在衬底上形成第一掺杂类型的外延层；2)在第一掺杂类型的外延层上形成阱区；3)在所述外延层上进行屏蔽层介质淀积得到屏蔽介质层，并光刻刻蚀开出窗口，通过一次退火完成阱推进；4)通过窗口进行多重调沟注入以制备第一掺杂类型耗尽区杂质；5)通过窗口进行槽刻蚀形成纵向贯穿阱区的沟槽；6)在所述沟槽内分别进行栅氧和多晶的生长；7)进行源极注入并激活；8)进行介质淀积；9)进行金属淀积形成金属层。本发明具有与现行通用的沟槽VDMOS工艺兼容度高，易于实现，并且不会引发额外的性能隐患的有益效果。

公开(公告)号：CN115842043A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211560545.9

申请日：2022-12-07

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司

Inventor： 肖添 ,  李孝权 ,  刘勇 ,  陈兴 ,  徐侧茗 ,  王斌 ,  梁涛 ,  何昭键 ,  钟怡

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种带LS源极结构的平面MOSFET，包括第一导电类型的高掺杂衬底、第一导电类型高掺杂的外延层、阱区，所述第一导电类型的外延层覆盖于第一导电类型的高掺杂衬底上，外延层上制造有阱区，阱区内还制造有LOCOS源极区。本发明MOSFET器件通过引入LOCOS源极结构，可避免栅介质因强电场损伤，有效降低寄生三极管效应，提高器件的可靠性，同时还可有效降低栅源电容；其相应制造方法具有工艺实现简单、工艺效果可控、易重复的有益效果。

公开(公告)号：CN117096031A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310965935.2

申请日：2023-08-02

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司

Inventor： 肖添 ,  李孝权 ,  刘勇 ,  何昭键 ,  李航

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明公开一种自对准形成沟道的非多晶自对准VDMOS及其制造方法。VDMOS包括衬底、外延层、阱、源、栅氧层、栅多晶层、介质层和金属层。方法步骤为：1)对外延层进行预氧氧化，生长预氧层，并进行自对准注入屏蔽介质层的淀积。2)对自对准注入屏蔽介质层进行光刻刻蚀。通过自对准注入屏蔽介质层的刻蚀窗口进行阱的注入，再进行高温阱推进工艺。)进行源的光刻刻蚀和注入，形成VDMOS沟道。3)进行自对准注入屏蔽介质层的剥离。4)进行栅氧层和栅多晶层的生长，并进行多晶光刻刻蚀形成多晶阵列。5)进行介质层的淀积和孔光刻，进行金属层的淀积、光刻，完成VDMOS的制造流程。本发避免了阱和源相对套位偏差、栅氧受工艺中高温制程影响，保障了栅氧质量。