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公开(公告)号：CN113958049B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111396987.X
申请日：2021-11-23
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于建筑物构件领域，涉及一种剪刀叉式建筑物钢架与叠合板连接结构，包括预制底板、浇筑在预制底板上的现浇混凝土层和可拆卸固定在预制底板上起支撑作用的若干根方形钢管；方形钢管沿预制底板纵向设置且并列排布；方形钢管远离预制底板的一侧开设方形孔洞，正对方形孔洞一侧的方形钢管上开设钢管孔洞，与钢管孔洞相对应的预制底板上开设两侧贯通的底板孔洞；钢管孔洞与对应的底板孔洞中安装Π型预埋件、与预埋件配合使用的剪刀叉式连接件以及用于固定连接件的螺母；解决现有预制混凝土叠合板底部安装的临时支撑不便于拆卸再利用，导致施工措施成本增加，施工效率低下的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113958049A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111396987.X
申请日：2021-11-23
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于建筑物构件领域，涉及一种剪刀叉式建筑物钢架与叠合板连接结构，包括预制底板、浇筑在预制底板上的现浇混凝土层和可拆卸固定在预制底板上起支撑作用的若干根方形钢管；方形钢管沿预制底板纵向设置且并列排布；方形钢管远离预制底板的一侧开设方形孔洞，正对方形孔洞一侧的方形钢管上开设钢管孔洞，与钢管孔洞相对应的预制底板上开设两侧贯通的底板孔洞；钢管孔洞与对应的底板孔洞中安装Π型预埋件、与预埋件配合使用的剪刀叉式连接件以及用于固定连接件的螺母；解决现有预制混凝土叠合板底部安装的临时支撑不便于拆卸再利用，导致施工措施成本增加，施工效率低下的问题。
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公开(公告)号：CN114000631B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111396985.0
申请日：2021-11-23
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于建筑物构件领域，涉及一种旋转可拆卸式钢架与叠合板连接结构，包括预制底板、浇筑在预制底板上的现浇混凝土层和可拆卸固定在预制底板上起支撑作用的若干根方形钢管；方形钢管远离预制底板的一侧开设方形孔洞，正对方形孔洞一侧的方形钢管上开设钢管孔洞，与钢管孔洞相对应的预制底板上开设两侧贯通的底板孔洞；钢管孔洞与对应的底板孔洞中安装呈大Π型的预埋件、与预埋件配合使用且呈T型的连接件以及用于固定连接件的螺母；解决现有预制混凝土叠合板底部安装的临时支撑不便于拆卸再利用，导致施工措施成本增加，施工效率低下的问题。
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公开(公告)号：CN112968007B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110149779.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 重庆大学 , 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国网冀北电力有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427
Abstract: 本申请涉及一种功率半导体结构及直流断路器。该功率半导体结构包括第一金属组件层、半导体芯片组件、第一冷却件、第二金属组件层和第二冷却件；半导体芯片设于第一金属组件层上；芯片门极线的第一端连接半导体芯片；第一冷却件设于半导体芯片上；第二金属组件层包括设于第一冷却件上的第一金属层，以及设于第一金属层上的第二金属层；其中，第一金属设有容纳腔；第二冷却件设于容纳腔内；芯片门极线的第二端依次绝缘穿过第一冷却件和第一金属层，并从第二金属层的一侧面绝缘穿出，实现在电网发生短路等故障时，可通过第一冷却件和第二冷却件快速降低半导体芯片温度，同时提升芯片的温度均匀性，进而提高了应用模块的安全可靠性。
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公开(公告)号：CN114000631A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111396985.0
申请日：2021-11-23
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于建筑物构件领域，涉及一种旋转可拆卸式钢架与叠合板连接结构，包括预制底板、浇筑在预制底板上的现浇混凝土层和可拆卸固定在预制底板上起支撑作用的若干根方形钢管；方形钢管远离预制底板的一侧开设方形孔洞，正对方形孔洞一侧的方形钢管上开设钢管孔洞，与钢管孔洞相对应的预制底板上开设两侧贯通的底板孔洞；钢管孔洞与对应的底板孔洞中安装呈大Π型的预埋件、与预埋件配合使用且呈T型的连接件以及用于固定连接件的螺母；解决现有预制混凝土叠合板底部安装的临时支撑不便于拆卸再利用，导致施工措施成本增加，施工效率低下的问题。
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公开(公告)号：CN112968007A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110149779.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 重庆大学 , 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国网冀北电力有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427
Abstract: 本申请涉及一种功率半导体结构及直流断路器。该功率半导体结构包括第一金属组件层、半导体芯片组件、第一冷却件、第二金属组件层和第二冷却件；半导体芯片设于第一金属组件层上；芯片门极线的第一端连接半导体芯片；第一冷却件设于半导体芯片上；第二金属组件层包括设于第一冷却件上的第一金属层，以及设于第一金属层上的第二金属层；其中，第一金属设有容纳腔；第二冷却件设于容纳腔内；芯片门极线的第二端依次绝缘穿过第一冷却件和第一金属层，并从第二金属层的一侧面绝缘穿出，实现在电网发生短路等故障时，可通过第一冷却件和第二冷却件快速降低半导体芯片温度，同时提升芯片的温度均匀性，进而提高了应用模块的安全可靠性。
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