公开(公告)号：CN116850794A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310846625.9

申请日：2023-07-11

Applicant: 重庆大学

Inventor： 张晓玲 ,  皇甫小留 ,  刘俊杰 ,  吴思思 ,  黄宇恒 ,  马铖雪 ,  黄瑞星

IPC: B01D69/02 ,  B01D67/00 ,  C02F1/44 ,  C02F1/62

Abstract: 本发明公开了一种多纳米孔PI膜及其制备方法和应用，该多纳米孔PI膜包括PI膜，其特征是：PI膜蚀刻有多个哑铃形纳米孔道，Azo‑G4‑DNA和G4‑DNA分别附着于氨化后的PI膜哑铃形纳米孔道的两段内表面。制备方法包括：步骤1、蚀刻PI膜多个哑铃形纳米孔道；步骤2、对PI膜的哑铃形纳米孔道进行羧基活化；步骤3、用Azo‑G4‑DNA和G4‑DNA分别修饰步骤2的PI膜哑铃形纳米孔道两段内表面。本发明的多纳米孔道PI膜应用于对铊离子具有选择性，在电压或紫外光刺激下实现铊离子逆浓度梯度运输，实现了收集提取铊物质。