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公开(公告)号：CN110814575B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911180212.1
申请日：2019-11-27
Applicant: 重庆平创半导体研究院有限责任公司 , 桂林电子科技大学
IPC: B23K35/362 , B23K35/363 , B23K35/40
Abstract: 本发明提供了一种焊膏和焊膏的制备方法，焊膏的组分包括：金属纳米颗粒、氧化石墨烯、抗坏血酸、分散剂、增稠剂和触变剂；其中，金属纳米颗粒包括纳米铜颗粒；金属纳米颗粒所占质量百分比的份数为75至85，氧化石墨烯所占质量百分比的份数为5至10，抗坏血酸所占质量百分比的份数为3至8，分散剂所占质量百分比的份数为2至8，增稠剂所占质量百分比的份数为2至8，触变剂所占质量百分比的份数为2至8。金属纳米颗粒具备了抗氧化性，可以有效地改善焊料层整体的导热、导电性能；少量其他纳米金属和还原氧化石墨烯对烧结后的焊料层缺陷能够进行有效的填充，减少焊料层整体的孔隙率，从而进一步提高焊料层整体的导电、散热和连接性能。
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公开(公告)号：CN112238310A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011196115.4
申请日：2020-10-30
Applicant: 重庆平创半导体研究院有限责任公司 , 重庆大学
Abstract: 本发明提供了一种铜焊膏、铜焊膏制备方法和芯片。铜焊膏包括如下质量百分比的各组分：复合铜浆料：95％至99.8％；导电导热碳基材料：0.2％至5％。本发明通过在复合铜浆料中加入导电导热碳基材料，提高了铜焊膏的导电和导热性能，同时也增强了焊膏的力学性能。
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公开(公告)号：CN110814575A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911180212.1
申请日：2019-11-27
Applicant: 重庆平创半导体研究院有限责任公司
IPC: B23K35/362 , B23K35/363 , B23K35/40
Abstract: 本发明提供了一种焊膏和焊膏的制备方法，焊膏的组分包括：金属纳米颗粒、氧化石墨烯、抗坏血酸、分散剂、增稠剂和触变剂；其中，金属纳米颗粒包括纳米铜颗粒；金属纳米颗粒所占质量百分比的份数为75至85，氧化石墨烯所占质量百分比的份数为5至10，抗坏血酸所占质量百分比的份数为3至8，分散剂所占质量百分比的份数为2至8，增稠剂所占质量百分比的份数为2至8，触变剂所占质量百分比的份数为2至8。金属纳米颗粒具备了抗氧化性，可以有效地改善焊料层整体的导热、导电性能；少量其他纳米金属和还原氧化石墨烯对烧结后的焊料层缺陷能够进行有效的填充，减少焊料层整体的孔隙率，从而进一步提高焊料层整体的导电、散热和连接性能。
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公开(公告)号：CN111211163A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010158277.2
申请日：2020-03-09
Applicant: 重庆平创半导体研究院有限责任公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种GaN高电子迁徙率晶体管，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；掺杂层，设置在势垒层上；源极，设置在沟道层上，并位于势垒层的一侧；漏极，设置在沟道层上，并位于势垒层的另一侧；栅极，设置在掺杂层靠近漏极的一侧；其中，沟道层与势垒层的临界处靠近沟道层的一侧具有二维电子气，沟道层在源极处的高度大于沟道层在栅极处的高度。通过使沟道层在源极处的厚度大于沟道层在栅极处的厚度，使得晶体管通电时，高浓度2-DEG的流向为自上而下，有效避免或减弱了源极漏极之间电场的作用，从而提高晶体管的阈值电压。
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公开(公告)号：CN211350656U
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202020281237.2
申请日：2020-03-09
Applicant: 重庆平创半导体研究院有限责任公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/778
Abstract: 本实用新型提供了一种GaN高电子迁徙率晶体管，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；掺杂层，设置在势垒层上；源极，设置在沟道层上，并位于势垒层的一侧；漏极，设置在沟道层上，并位于势垒层的另一侧；栅极，设置在掺杂层靠近漏极的一侧；其中，沟道层与势垒层的临界处靠近沟道层的一侧具有二维电子气，沟道层在源极处的高度大于沟道层在栅极处的高度。通过使沟道层在源极处的厚度大于沟道层在栅极处的厚度，使得晶体管通电时，高浓度2-DEG的流向为自上而下，有效避免或减弱了源极漏极之间电场的作用，从而提高晶体管的阈值电压。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112857670A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110089872.X
申请日：2021-01-22
Applicant: 桂林电子科技大学 , 东风柳州汽车有限公司
IPC: G01M1/10
Abstract: 本发明公开了一种基于频响函数质量线的惯性参数测量平台及方法，该平台包括支撑架、平衡平台、三轴加速度传感器、力锤、数据采集器和显示器，平衡平台通过柔性绳平水悬吊在支撑架内，待测结构件放置在平衡平台上，若干个三轴加速度传感器根据测量需求分别布置在待测结构件上，力锤用于向待测结构件施加激励，三轴加速度传感器和力锤分别通过数据线与数据采集器连接，数据采集器还与显示器连接，用于显示所采集到的数据；该平台调平衡操作简单，可自行拆卸扩展；借助测量平台几何参数可精确激励点和响应点坐标，无需三维坐标仪反复测取，实验平台惯性参数和误差可知，在计算待测构件的惯性参数时，可提升测量精度。
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公开(公告)号：CN119252044A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411427089.X
申请日：2024-10-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种车联网模式下交通路口车辆速度管理方法，属于车辆管理的技术领域，尤其涉及一种车联网模式下的车辆速度管理方法，可应用于联网车辆管理系统，主要用于在交通路口对车辆进行动态速度监控管理，所述的车辆速度管理方法包括：采集行驶车辆的行车数据、联网后台控制中心、终端车辆；其中，采集行驶车辆的行车数据主要包括道路一定里程内的行驶车辆数及车辆间距，基于行车数据根据所设算法计算该时段容许最高时速，传输至后台控制中心，控制交通测速器对终端车辆进行测试，反馈至后台控制中心，经后台控制中心筛选出超速车辆，提前向终端车辆发送超速预警促使车辆提前减速，低速通过交通路口；本发明通过提前判断拟超速车辆，发送超速预警，可以达到减少交通路口车祸发生的概率，提高车主安全意识，促进交通安全，便于交通部门对联网车辆的管理。
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公开(公告)号：CN116001785A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310011207.8
申请日：2023-01-05
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及智能车辆安全技术领域，具体涉及一种商用车自适应巡航车间距调整方法，通过获取商用车的各个参数作为输入变量，搭建双模糊识别器，采用双模糊控制规则，将输入变量和输出变量进行分级以及模糊化处理，通过控制经验进行模糊语言间的模糊控制规则，获得输出变量车间距，最后自适应巡航系统基于车间距参数进行自适应控制保持，降低事故的发生概率，提高道路利用率，同时给予驾驶员更舒适的驾驶感。
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公开(公告)号：CN112611511B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011380948.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 东风柳州汽车有限公司
IPC: G01M1/10
Abstract: 本发明公开了一种基于加速度频响函数的复杂构件惯性参数获取方法，先通过传感器规格参数确定的质量、质心位置，在待测刚体上建立参考坐标系、质心坐标系，传感器布置于待测刚体参考点和据测试装置几何参数确定的响应点，确定坐标转换矩阵，通过基点法确定激励力下整个刚体角加速度，采用基点迭代法确定其余各个传感器质心坐标，进而确定相对于响应点的参考点加速度和相对于参考点的质心加速度；然后用力的平移和质心定理确定质心坐标及整体刚体质量，考虑传感器附加质量，计算待测刚体质量；最后采用力沿作用线平移、动量矩理、定轴转动惯量和转动惯量平移定理确定整个刚体绕质心轴线的转动惯量，考虑传感器附加转动惯量，计算待测刚体转动惯量。
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公开(公告)号：CN112611511A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011380948.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 东风柳州汽车有限公司
IPC: G01M1/10
Abstract: 本发明公开了一种基于加速度频响函数的复杂构件惯性参数获取方法，先通过传感器规格参数确定的质量、质心位置，在待测刚体上建立参考坐标系、质心坐标系，传感器布置于待测刚体参考点和据测试装置几何参数确定的响应点，确定坐标转换矩阵，通过基点法确定激励力下整个刚体角加速度，采用基点迭代法确定其余各个传感器质心坐标，进而确定相对于响应点的参考点加速度和相对于参考点的质心加速度；然后用力的平移和质心定理确定质心坐标及整体刚体质量，考虑传感器附加质量，计算待测刚体质量；最后采用力沿作用线平移、动量矩理、定轴转动惯量和转动惯量平移定理确定整个刚体绕质心轴线的转动惯量，考虑传感器附加转动惯量，计算待测刚体转动惯量。
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