公开(公告)号：CN105024676A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201410246723.X

申请日：2014-06-05

Applicant: 钜晶电子股份有限公司

Inventor： 郭明奇 ,  蔡宗志 ,  徐仁耀

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03K17/145 ,  H03K17/063 ,  H03K17/162 ,  H03K17/6871 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0054 ,  H03K2217/0081

Abstract: 一种高压自举式栅极驱动装置，包括高端晶体管、低端晶体管、缓冲器、升压电容以及高压耗尽型晶体管。高端晶体管接收第一电源电压。缓冲器则依据偏压电压以提供高端驱动信号至高端晶体管。升压电容串接在基准电压以及偏压电压间。耗尽型晶体管的第一端耦接至第二电源电压，耗尽型晶体管的第二端耦接至偏压电压，且耗尽型晶体管的控制端接收参考接地电压。

公开(公告)号：CN105024676B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201410246723.X

申请日：2014-06-05

Applicant: 钜晶电子股份有限公司

Inventor： 郭明奇 ,  蔡宗志 ,  徐仁耀

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03K17/145 ,  H03K17/063 ,  H03K17/162 ,  H03K17/6871 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0054 ,  H03K2217/0081

Abstract: 一种高压自举式栅极驱动装置，包括高端晶体管、低端晶体管、缓冲器、升压电容以及高压耗尽型晶体管。高端晶体管接收第一电源电压。缓冲器则依据偏压电压以提供高端驱动信号至高端晶体管。升压电容串接在基准电压以及偏压电压间。耗尽型晶体管的第一端耦接至第二电源电压，耗尽型晶体管的第二端耦接至偏压电压，且耗尽型晶体管的控制端接收参考接地电压。