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发明授权
三维存储器及其制备方法有权

公开(公告)号：CN112802852B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202110312416.7

申请日：2021-03-24

Applicant: 长江存储科技有限责任公司(CN)

Inventor： 张坤 , 陈赫 , 肖亮 , 伍术 , 华子群

IPC: H10B43/30 , H10B43/27

Abstract: 本申请提供一种三维存储器及制备方法。制备方法包括：在衬底的第一侧形成沿平行于衬底的第一方向间隔分布的多个沟槽组，其中每个沟槽组都包括两个第一沟槽，两个第一沟槽在平行于衬底的、与第一方向垂直的第二方向间隔固定距离；填充多个沟槽组并覆盖衬底的表面以形成支撑层；以及在支撑层上形成叠层结构，并在叠层结构中形成栅线间隙结构，其中，栅线间隙结构贯穿叠层结构并延伸至支撑层的、位于固定距离内的部分。通过该制备方法，在衬底与栅线间隙相对的部分中加入支撑结构，可有效减少，甚至抑制衬底在三维存储器的制备过程中发生形变和塌陷。

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