公开(公告)号：CN115424993A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211083372.6

申请日：2022-09-06

Applicant: 长沙理工大学

Inventor： 石尔 ,  易苹 ,  赵斌 ,  姜昌伟 ,  汪琼 ,  王友兰

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/427 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构及其制造方法，属于浸没式液冷技术领域。换热结构加工于芯片硅衬底上，与芯片形成一体，其中换热结构为周期性条纹结构嵌套纳米孔的双层结构。针对强化沸腾换热，本发明一方面增加了气泡有效气化核心数目，另一方面实现了气液通道的分离，在高热流密度下将新鲜液体及时供给到气泡中心底部，主动形成用于液体补充和气泡逸出的流动路径，从而降低沸腾起始过热度，显著提高核态沸腾的换热性能和临界热流密度。本发明方法工艺简单，生产成本低，制造的换热结构直接嵌入芯片的有效区域下方，避免了接触热阻的影响，不需要消耗额外的泵送功率，产品高度可控，适合大规模产业化。

公开(公告)号：CN115424993B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211083372.6

申请日：2022-09-06

Applicant: 长沙理工大学

Inventor： 石尔 ,  易苹 ,  赵斌 ,  姜昌伟 ,  汪琼 ,  王友兰

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/427 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构及其制造方法，属于浸没式液冷技术领域。换热结构加工于芯片硅衬底上，与芯片形成一体，其中换热结构为周期性条纹结构嵌套纳米孔的双层结构。针对强化沸腾换热，本发明一方面增加了气泡有效气化核心数目，另一方面实现了气液通道的分离，在高热流密度下将新鲜液体及时供给到气泡中心底部，主动形成用于液体补充和气泡逸出的流动路径，从而降低沸腾起始过热度，显著提高核态沸腾的换热性能和临界热流密度。本发明方法工艺简单，生产成本低，制造的换热结构直接嵌入芯片的有效区域下方，避免了接触热阻的影响，不需要消耗额外的泵送功率，产品高度可控，适合大规模产业化。